Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD

X-FAB's Перв--сво-Добросердечная Технология Плавильни SOI Предлагает Возможность MOS 200V на 180 nm

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

Плавильни Кремния X-FAB сегодня объявили свое XT018, технологию плавильни шанца изолированную диэлектриком SOI мира первым предлагая для возможности MOS 200V на 180nm. Используя польностью диэлектрическую изоляцию этого модульного процесса позволяет блокам на различных уровнях напряжения тока быть интегрированным на одиночном обломоке вместо установлено на различных обломоках. Он значительно уменьшает число необходимых дополнительных компонентов на платах с печатным монтажом, исключает захват и обеспечивает встроенную робастность против электромагнитного взаимодействия.

Технология XT018 SOI единственный доступный процесс плавильни на 180nm для применений требуя 100V к ряду напряжения тока 200V. Идеально для едока, инфраструктуры медицинских, радиосвязи и промышленных применений которому нужна двухнаправленная изоляция, как применения PoE, водители передатчика ультразвука, piezo приводы и емкостн-управляемая микромеханика.

Новая технология совмещает польностью изолированные транзисторы MOS для высоковольтного стока с технологией 180nm для I/O 1.8V/5.0V и до 6 слоев металла. Свое уникально отростчатое зодчество, используя зодчество супер-соединения с запатентованным диэлектрическим прекращением HV для транзисторов MOS, позволяет компактной конструкции с Рон как низким как 0,3 ² Ùmm для 100V и ² 1.1Ùmm для транзисторов 200V nMOS. Транзисторы MOS HV конструированы для того чтобы иметь идентичные электрические параметры и для деятельности низких и высок-стороны.

Модульный подход процесса XT018 включает модуль 5V-only для сетно-аналогов-сфокусированных применений, и модули HVnmos и Hvpmos которые можно выбрать отдельно. Технология полно охарактеризована для диапазона температур -40°C к 175°C.

В дополнение к транзисторам HV, новый предлагать технологии XT018 обеспечивает толщиной вариант металла для того чтобы поддержать сильнотоковую трассу, изолированный MOS 10V, основные диоды соединения и двухполярные транзисторы, средств и высок-омовские поли резисторы, и зон-эффективное высокоемкое MIM (² 2,2 до 6,6 fF/µm), так же, как высоковольтный конденсатор. Технология супер-соединения позволяет выпрямить диоды с временем восстановления обратного 20ns, включающ выпрямители тока и сети бутстрэпа, котор нужно интегрировать эффективно на обломоке вернее чем -обломок.

Sebastian Шмидт, менеджер маркетинга товара для X-FAB's Высоковольтной номенклатуры товаров, сказал, «Наша технология XT018 обеспечивает исключительнейшую dielectrically изолированную высоковольтную поддержку. Такая изоляция делает ее более легкой конструировать для коротких циклов рационализаторства, прямодушна, и приводит к в более быстром времени на реализацию.»

XT018 PDK доступно теперь, поэтому конструкторы могут начать конструировать справедливо - прочь.

X-FAB планирует хозяйничать свободное webinar на новом процессе XT018 более поздно этот год.

Источник: http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:31

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit