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X 很好的一流的 SOI 铸造厂技术提供 200V MOS 功能在 180 毫微米

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

X-FAB 硅制作用今天宣布了其 XT018,提供为 200V MOS 功能的世界的第一沟槽电介质查出的 SOI 铸造厂技术在 180nm。 使用此模件进程的充分的电介质隔离在一个唯一筹码在不同的筹码允许在不同的电压电平的块集成而不是安置。 它极大减少必需的另外的要素的数量在印刷电路板的,消灭闩锁效应并且提供固定强壮电磁干扰。

XT018 SOI 技术是唯一的可用的铸造厂进程在要求这个 100V 的应用的 180nm 对 200V 电压范围。 对需要双向隔离,例如 PoE 应用、超声波发射机驱动器、压力致动器和电容主导的微力学的消费者、医疗,电信设施和行业应用是理想的。

新技术与 1.8V/5.0V 输入/输出和 6 块金属层的 180nm 技术结合高压流失的充分地查出的 MOS 晶体管。 其唯一处理结构,使用与给予专利的电介质 HV 终止的超连接点结构为 MOS 晶体管,允许与罗恩的紧缩设计低到 100V 的 0.3 Ùmm ² 和 200V nMOS 晶体管的 1.1Ùmm ²。 HV MOS 晶体管被设计有低和高侧运算的相同的电子参数。

这个 XT018 进程的模件途径包括模式集中的应用的一个 5V 模块和可以分别地被选择的 HVnmos 和 Hvpmos 模块。 技术为 -40°C 的温度范围对 175°C. 的充分地被分析。

除 HV 晶体管之外,新 XT018 技术提供提供一个厚实的金属选项支持高电流运输路线、查出的 10V MOS、基本的结型二极管和双极晶体管,媒体和高电阻的多电阻器和一区高效高容量 MIM (2.2 到 6.6 fF/µm ²),以及一台高压电容器。 超连接点技术准许纠正有 20ns 反向恢复时间的二极管,启用在这个筹码和引导电路将高效地集成的整流器而不是筹码。

塞巴斯蒂安施密特, X 很好的高压产品线的产品营销经理,说, “我们的 XT018 技术提供例外绝缘地查出的高压技术支持。 这样隔离使更加容易简称设计创新循环,是直接的,并且导致更加快速的上市时间”。

XT018 PDK 现在是可用的,因此设计员能开始立即设计。

X-FAB 计划今年下半年主持一自由 webinar 在新的 XT018 进程。

来源: http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:28

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