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X 很好的一流的 SOI 鑄造廠技術提供 200V MOS 功能在 180 毫微米

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

X-FAB 硅制作用今天宣佈了其 XT018,提供為 200V MOS 功能的世界的第一溝槽電介質查出的 SOI 鑄造廠技術在 180nm。 使用此模件進程的充分的電介質隔離在一個唯一籌碼在不同的籌碼允許在不同的電壓電平的塊集成而不是安置。 它極大減少必需的另外的要素的數量在印刷電路板的,消滅閂鎖效應并且提供固定強壯電磁干擾。

XT018 SOI 技術是唯一的可用的鑄造廠進程在要求這个 100V 的應用的 180nm 對 200V 電壓範圍。 對需要雙向隔離,例如 PoE 應用、超聲波發射機驅動器、壓力致動器和電容主導的微力學的消費者、醫療,電信設施和行業應用是理想的。

新技術與 1.8V/5.0V 輸入/輸出和 6 塊金屬層的 180nm 技術結合高壓流失的充分地查出的 MOS 晶體管。 其唯一處理結構,使用與給予專利的電介質 HV 終止的超連接點結構為 MOS 晶體管,允許與羅恩的緊縮設計低到 100V 的 0.3 Ùmm ² 和 200V nMOS 晶體管的 1.1Ùmm ²。 HV MOS 晶體管被設計有低和高側運算的相同的電子參數。

這個 XT018 進程的模件途徑包括模式集中的應用的一個 5V 模塊和可以分別地被選擇的 HVnmos 和 Hvpmos 模塊。 技術為 -40°C 的溫度範圍對 175°C. 的充分地被分析。

除 HV 晶體管之外,新 XT018 技術提供提供一個厚實的金屬選項支持高電流運輸路線、查出的 10V MOS、基本的結型二極管和雙極晶體管,媒體和高電阻的多電阻器和一區高效高容量 MIM (2.2 到 6.6 fF/µm ²),以及一臺高壓電容器。 超連接點技術准許糾正有 20ns 反向恢復時間的二極管,啟用在這個籌碼和引導電路將高效地集成的整流器而不是籌碼。

塞巴斯蒂安施密特, X 很好的高壓產品線的產品營銷經理,說, 「我們的 XT018 技術提供例外绝緣地查出的高壓技術支持。 這樣隔離使更加容易簡稱設計創新循環,是直接的,并且導致更加快速的上市時間」。

XT018 PDK 現在是可用的,因此設計員能開始立即設計。

X-FAB 計劃今年下半年主持一自由 webinar 在新的 XT018 進程。

來源: http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:29

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