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Posted in | Nanofabrication

Superconducting フィルムの内で自己組み立てるべき緊張調整の原因 Nanodefects

Published on November 14, 2012 at 7:28 AM

オーク・リッジの国立研究所エネルギー省の研究者は nanoscale で製造の先端材料の進歩を報告しました。 多重要素で構成される nanostructures の自発自己アセンブリはエネルギー効率が良い技術およびデータ記憶装置の範囲を改良できる材料の方に道を開きます。

Amit Goyal ORNL 材料の科学技術部の研究者は努力を導きま、バリウム銅酸化物の superconducting フィルム内の絶縁バリウムのジルコニウム酸化物の nanodots そして nanorods の自己アセンブリを理解し、制御するために理論的な、実験調査結合します。

「私達は埋め込まれた nanodots および nanorods のまわりで成長する歪場が自己アセンブリの主駆動力であることが」、言いました Goyal の UT-Battelle 団体仲間を分りました。 「歪場の調整によって、 nanodefects は superconducting フィルムの内で自己組み立て、縦および水平の方向に含めました一直線に並んだ欠陥を」。

superconducting 材料内の制御装置は材料の異方性のマーク付きの減少を含む非常に改良された特性、 Goyal は言いました、または多くの大規模な、高温超伝導アプリケーションのために望まれた方向依存で起因しました。

示されるチームを緊張調整することに multiferroics、 magnetoelectrics、 thermoelectrics、 photovoltaics、超高度の密度の情報蓄積および高温超伝導体を含む電気および電子アプリケーションの範囲のために、適した特性が付いている多重要素の制御された、自己組み立てられた nanostructures の nanoscale の製造で含意が、あります。

「別の全面的な構成、集中、形状および空間的な命令を用いるそのような nanocomposite のフィルムいくつかの小説を作り出すことができ、合成物のフィルムから成り立つ個々の材料か段階に表わされない前例のない特性」はと Goyal は言いました。

ソース: http://www.ornl.gov/

Last Update: 14. November 2012 08:51

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