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Posted in | Nanomaterials | Graphene

Innovative Technik, zum der Elektrischen Leitfähigkeit von Graphene Zu Steuern

Published on November 17, 2012 at 4:39 AM

Forscher am Nanoelectronics-Forschungsinstitut des Nationalen Instituts des Hoch entwickelten Industriellen Wissenschaft Und Technik (AIST), in der gemeinsamen Arbeit mit einem NIMS-Team, das von Dr. Kazuhito Tsukagoshi, ein MANA-Projektleiter in der Internationalen Mitte NIMS für Materialien Nanoarchitectonics vorangegangen wurde, entwickelten eine neue Technik für die Steuerung der elektrischen Leitfähigkeit von graphene.

Zusammenfassung

Ein Team vorangegangen von Dr. Shu Nakaharai, ein Gekennzeichneter Steigernder Forscher in der Zusammenarbeits-Forschungsteam-Grün Nanoelectronics-Mitte (im Folgenden, GNC; Führer: Naoki Yokoyama), Nanoelectronics-Forschungsinstitut (Direktor: Seigo Kanemaru), Nationales Institut des Hoch entwickelten Industriellen Wissenschaft Und Technik (im Folgenden, AIST; Präsident: Tamotsu Nomakuchi) und Dr. Shinichi Ogawa, ein Eingeladener Forscher am Nanoelectronics-Forschungsinstitut, AIST-Innovations-Mitte für Hoch entwickeltes Nanodevices (Direktor: Hiroyuki Akinaga), in der gemeinsamen Forschung mit einem Team vorangegangen von Dr. Kazuhito Tsukagoshi, ein MANA-Projektleiter in der Internationalen Mitte für Materialien Nanoarchitectonics (im Folgenden, WPI-MANA; Generaldirektor: Masakazu Aono), Nationales Institut für Material-Wissenschaft (im Folgenden, NIMS; Präsident: Sukekatsu Ushioda), entwickelt einer neuen Technik für die Steuerung der elektrischen Leitfähigkeit von graphene.

In der Technik, die in dieser Forschung entwickelt wird, wird ein Heliumionenträger auf graphene unter Verwendung eines Heliumionenmikroskops bestrahlt, um eine niedrige Konzentration von Kristalldefekten künstlich vorzustellen, und es wird möglich, die Bewegung von Elektronen und von Löchern im graphene zu modulieren, indem man eine Spannung auf die Gate-Elektrode zutrifft. Obgleich dieses Phänomen der Leitungsregelung durch Vorstellung der Kristalldefekte theoretisch vorausgesagt worden war, gab es keine Beispiele, in denen Ein-Aus-Betrieb bei Zimmertemperatur experimentell erzielt wurde. Es ist möglich, die Technik vorzustellen, die in dieser Arbeit im vorhandenen Rahmen der Fertigungstechnik, einschließlich Wafers des großen Gebiets entwickelt wird.

Details dieser Technologie wurden an der Internationalen Konferenz 2012 auf den Halbleiterbauelementen und Materialien (SSDM2012) angehalten in Kyoto, Japan 25. bis 27. September 2012 dargestellt.

Quelle: http://www.nims.go.jp

Last Update: 17. November 2012 05:42

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