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控制 Graphene 電導率的創新技術

Published on November 17, 2012 at 4:39 AM

先進的行業科學技術 (AIST) 國家學院 Nanoelectronics 研究所的研究員,在聯合與 Kazuhito Tsukagoshi 博士帶領的 NIMS 小組一起使用, MANA 主要調查人在 NIMS 國際中心為材料 Nanoarchitectonics,開發了新穎的技術的控制 graphene 電導率。

摘要

Shu Nakaharai,一位選定的密集研究員博士帶領的小組在協作研究小組綠色 Nanoelectronics 中心 (以後, GNC; 領導先鋒: Naoki Yokoyama), Nanoelectronics 研究所 (主任: Seigo Kanemaru),先進的行業國家學院科學技術 (以後, AIST; 總統: Tamotsu Nomakuchi) 和 Shinichi Ogawa, Nanoelectronics 研究所的一位被邀請的研究員, AIST 先進的 Nanodevices (主任創新中心博士: 在聯合研究的 Hiroyuki Akinaga),與 Kazuhito Tsukagoshi 博士帶領的小組, MANA 主要調查人在國際中心為材料 Nanoarchitectonics (以後, WPI-MANA; 董事長: Masakazu Aono),材料學國家學院 (以後, NIMS; 總統: Sukekatsu Ushioda),被開發控制 graphene 電導率的一個新穎的技術。

在此研究開發的這個技術,氦氣離子束在 graphene 被照耀使用氦氣離子顯微鏡人工地引入晶體缺陷的低濃度,并且通過適用於電壓調整電子和漏洞的移動在 graphene 變得可能柵電極。 雖然傳導控制此現象通過晶體缺陷介紹的理論上預測,沒有在室溫的開/關運算實驗達到的示例。 引入在生產技術現有的結構的此工作開發的這個技術,包括大區薄酥餅是可能的。

此技術詳細資料存在了在關於在京都 (SSDM2012) 的 2012 國際會議暫掛的固體器件和材料,日本 2012年 9月 25-27。

來源: http://www.nims.go.jp

Last Update: 17. November 2012 05:41

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