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Posted in | Nanofabrication

Samsung Pede Dois Mais Sistemas do MOCVD de GaN de Aixtron

Published on April 12, 2007 at 10:39 PM

AIXTRON AG anunciaram hoje que tinham recebido um pedido para dois sistemas mais adicionais do MOCVD do Nitreto do Gálio do AIX 2600G3HT (GaN) dos Electro-Mecânicos Co. de Samsung, Ltd. (SEMCO) durante Janeiro de 2007.

Ambas As ferramentas do MOCVD serão entregadas às facilidades de SEMCO Kyungki-Fazem dentro, Coreia Do Sul, E serão usadas para a produção de volume de Diodo emissor de luz GaN-baseado azul e branco do brilho alto.

Os sistemas deste pedido da repetição dos Electro-Mecânicos de Samsung serão adicionados à grande base instalada de Samsung de sistemas do Grupo de AIXTRON. Seus Reactores Planetários do Nitreto têm executado muito satisfatoriamente mas com procura do mercado assim que os reactores adicionais altos seja agora necessário. Porque os processos são prontamente transferíveis SEMCO antecipa que as novas ferramentas serão rapidamente ramped acima encontrar necessidades da produção.

O Dr. Dong-Joon Kim de SEMCO, responsável para ambos os sistemas disse: “Samsung transformou-se o número um que o fornecedor local para GaN baseou HB-Diodo emissor de luz em Coreia. Somente nós temos expandido recentemente nossa capacidade com sistemas Planetários do Reactor de AIXTRON. Agora nós decidimos pedir dois sistemas adicionais do MOCVD de AIXTRON. Para promover nossa produção nós exigimos um serviço profissional e um sistema seguro. Eis porque nós escolhemos AIXTRON. Em nossa experiência, o Reactor Planetário de AIXTRON oferece a reprodutibilidade excelente que pode para transferir rapidamente e facilmente para promover sistemas de AIXTRON permitindo nos de ramp acima a saída prontamente após a instalação de sistema.”

Last Update: 15. January 2012 03:08

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