应用的材料做在张力工程上的收益更加快速的晶体管的

Published on May 16, 2007 at 2:23 AM

Applied Materials, Inc. 今天宣布了应用的 Producer® Celera™ PECVD (1),重大的推进在张力达到压力水平的工程技术为制造的更加快速的晶体管要求了在 45nm 和在设备之外。 通过集成紫外应用的所有权的 Nanocure™ (1) 与一个改进的氮化物证言房间的治疗技术,这个系统增加影片张应力由超过 30%,对 1.7GPa 的领先业界的级别,与 extendibility 超出 2.0GPa。 同一个证言房间可能存款与压缩应力的影片至 >85% 改善的 3.5GPa 在激励电流,当使用与 SiGe 隐藏了来源/流失结构。

生产者 Celera 系统的关键字是达到在 NMOS 设备的行业的最高的 PECVD 张应力的其集成多步的证言和治疗进程。 整个过程在原处进行,不用对的暴露航空,最大化设备可靠性和性能。

“生产者是集成张力导致的第一个系统与一个紫外治疗进程的氮化物证言在同一个平台”,总经理说 Farhad Moghadam 博士,资深副总裁和应用的材料’薄膜组的。 “这是一台重要微分器,因为它冲破这个障碍对抗拉应变添加有重大的福利的 NMOS 设备的增长的筹码性能。 此唯一配置在多个客户地点的生产已经合格了全世界”。

多个张力工程影片典型地用于先进的设备增加晶体管激励电流和因而优选他们的速度和功率性能。 劳损影片,结合与新的高 k/metal 门技术,扩大在这个 45nm 节点之外的筹码比例缩放并且启用穆尔的法律的继续。

应用的线索在提供张力工程解决办法的行业以国际水平的技术一个广泛的投资组合。 当与生产者 Celera 系统的氮化物层和重点熟记技术结合,这些技术的附加张力福利传送更高的激励电流和更加快速,低功率晶体管。 应用的生产者竖琴提供张力导致在 STI 的拉伸影片 (1) 和 PMD (1) 地区。 应用的 Centura® SiGe 的 RP Epi 在一个稳健 100% 有选择性的进程中隐藏了来源/流失提供 >60% 激励电流改善。 除在逻辑装置的福利之外,张力工程帮助减少损失并且改进在固定存储器设备的停留时间。

Last Update: 14. January 2012 23:42

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