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應用的材料做在張力工程上的收益更加快速的晶體管的

Published on May 16, 2007 at 2:23 AM

Applied Materials, Inc. 今天宣佈了應用的 Producer® Celera™ PECVD (1),重大的推進在張力達到壓力水平的工程技術為製造的更加快速的晶體管要求了在 45nm 和在設備之外。 通過集成紫外應用的所有權的 Nanocure™ (1) 與一個改進的氮化物證言房間的治療技術,這個系統增加影片張應力由超過 30%,對 1.7GPa 的領先業界的級別,與 extendibility 超出 2.0GPa。 同一個證言房間可能存款與壓縮應力的影片至 >85% 改善的 3.5GPa 在激勵電流,當使用與 SiGe 隱藏了來源/流失結構。

生產者 Celera 系統的關鍵字是達到在 NMOS 設備的行業的最高的 PECVD 張應力的其集成多步的證言和治療進程。 整個過程在原處進行,不用對的暴露航空,最大化設備可靠性和性能。

「生產者是集成張力導致的第一個系統與一個紫外治療進程的氮化物證言在同一個平臺」,總經理說 Farhad Moghadam 博士,資深副總裁和應用的材料』薄膜組的。 「這是一臺重要微分器,因為它衝破這個障礙對抗拉應變添加有重大的福利的 NMOS 設備的增長的籌碼性能。 此唯一配置在多個客戶地點的生產已經合格了全世界」。

多個張力工程影片典型地用於先進的設備增加晶體管激勵電流和因而優選他們的速度和功率性能。 勞損影片,結合與新的高 k/metal 門技術,擴大在這個 45nm 節點之外的籌碼比例縮放并且啟用穆爾的法律的繼續。

應用的線索在提供張力工程解決辦法的行業以國際水平的技術一個廣泛的投資組合。 當與生產者 Celera 系統的氮化物層和重點熟記技術結合,這些技術的附加張力福利傳送更高的激勵電流和更加快速,低功率晶體管。 應用的生產者豎琴提供張力導致在 STI 的拉伸影片 (1) 和 PMD (1) 地區。 應用的 Centura® SiGe 的 RP Epi 在一個穩健 100% 有選擇性的進程中隱藏了來源/流失提供 >60% 激勵電流改善。 除在邏輯裝置的福利之外,張力工程幫助減少損失并且改進在固定存儲器設備的停留時間。

Last Update: 23. January 2012 04:45

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