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Eigene Anlagen für das Produzieren von Halbleiter-Nanowires Erhältlich aus Erstem Nano

Published on July 17, 2007 at 12:26 AM

Erstes Nano--, eine Abteilung von CVD Equipment Corporation hat angekündigt, dass heute die Freigabe von ihr ET2000-SS und ET3000-SS die festen Quell-Absetzungsanlagen ist, die speziell für das Produzieren von Halbleiter-Nanowires bestimmt sind.

Die Monokristall-nanowires, die von den Materialien wie Zink-Oxid (Zno) gemacht werden und Gallium-Nitrid (GaN) sind der Fokus von Forschern jahrelang wegen ihrer bemerkenswerten Eigenschaften als elektronische und optoelektronische Materialien gewesen.

GaN ist ein Halbleitermaterial, das für die Blauen, Grünen und Lichtemittierenden UVdioden (LED) verwendet wird und die Laser. Blaue LED werden auch mit Phosphor behandelt, um die weiße Leuchte LED zu erstellen, das aktuell in den Taschenlampen, im Signage und in anderen Beleuchtungsanwendungen verwendet werden.

ZnO ist ein Halbleitermaterial, das für Blau-LED und Laser verwendet wird und ist wahrscheinlich eine weniger teure Alternative zu GaN. ZnO ist auch für die absorbierende UV-Strahlung weithin bekannt, die es einen wichtigen Bestandteil in den persönlichen Produkten wie Kosmetik und Sonne blockieren Lotionen macht.

Forscher sind in der Lage gewesen, zu zeigen, dass, feste Quellen wie Gallium- und Zinkpulver verwendend, eine weniger teure und sicherere Alternative zur Anwendung der herkömmliches MetallOrganischen Quellen seien Sie, die durch die aktuelles MetallOrganisches Bedampfen-Chemische Bedampfenmethode (MOCVD) für die Herstellung von LED verwendet werden.

Bis jetzt sind nanowire LED GaN und ZnO und Laser nur auf einer Forschungsschuppe möglich gewesen. Eins der wichtigen Themen für das Produzieren von größeren Proben ist, die Temperatur der festen Quelle (Zn oder GA) und der Temperatureinheitlichkeit der Probe zu steuern gewesen.

Der typische Prozess für das Abgeben dieser Materialien wird das „Dampf-Feste“ (GEGEN)“ oder „Dampf-Flüssigkeit-Feste“ Methode (VLS) von CVD genannt. Im Falle ZnO wird die Quelle zu ~900o Celsius geheizt, um die Quellpulver zu verdunsten und die Probe in die Kammer in der die Temperaturabfälle zu ~800o Celsius gelegt wird. In den meisten Anlagen lässt dieses einen ungleichmäßigen Bereich für die Substratfläche, ein sehr schmaler Prozessbereich, damit die Probe folglich gelegt werden kann.

Unsere festen Quellabsetzungsanlagen sind speziell konstruiert worden, um das „Dampf-Feste“ (GEGEN)“ und „Dampf-Flüssigkeit-Feste“ Methode (VLS) von nanowire Absetzung anzupassen. Diese neue Auslegung stellt besseren Temperaturregler der Ausgangsstoff- und Substratflächentemperatureinheitlichkeit, von der Lieferung von eindeutigen Temperaturzonen zur verfügung und trennt sich Temperaturregleranlagen der Endlosschleife. Der verbesserte Temperaturregler zusammen mit der erhöhten Kapazität der ET2000-SS und ET3000-SS Anlagen sind der erste Schritt, wenn er diese bemerkenswerten Materialien zu den vollen Produktionsebenen holt.

Last Update: 17. January 2012 05:02

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