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Sistemas Proprietários para Produzir Nanowires Semiconducting Disponível de Primeiro Nano

Published on July 17, 2007 at 12:26 AM

Primeiro Nano, uma divisão de CVD Equipamento Corporaçõ tem anunciado que hoje a liberação dela é os sistemas contínuos do depósito da fonte de ET2000-SS e de ET3000-SS projetados especificamente produzindo Nanowires deCondução.

Os nanowires Monocristalinos feitos dos materiais tais como o Óxido de Zinco (Zno) e o Nitreto do Gálio (GaN) foram o foco dos pesquisadores por muitos anos devido a suas propriedades notáveis como materiais eletrônicos e optoelectronic.

GaN é um material decondução usado para os diodos Luminescentes Azuis, Verdes e UV (Diodo emissor de luz) e os Lasers. Os Diodos emissores de luz Azuis são tratados igualmente com os fósforos para criar os Diodos emissores de luz da luz branca que são usados actualmente nas lanternas elétricas, no signage e nas outras aplicações da iluminação.

ZnO é um material decondução usado para Azul-Diodo emissor de luz e Lasers, e é provavelmente uma alternativa menos cara a GaN. ZnO é igualmente conhecido para radiação UV absorvente que faz lhe um ingrediente importante em produtos pessoais tais como os cosméticos e o sol que obstruem loções.

Os Pesquisadores puderam demonstrar isso que usa fontes contínuas tais como o Gálio e os pós do Zinco são uma alternativa menos cara e mais segura a usar as Fontes Orgânicas do Metal convencional usadas pelo método actual do Depósito de Vapor do Produto Químico do Depósito de Vapor Orgânico (MOCVD) do Metal para fabricar o Diodo emissor de luz.

Até agora, os Diodos emissores de luz do nanowire de GaN e de ZnO e os lasers foram possíveis somente em uma escala da pesquisa. Um dos temas importantes para produzir amostras maiores foi controlar a temperatura da fonte contínua (Zn ou GA) e da uniformidade da temperatura da amostra.

O processo típico para depositar estes materiais é chamado o “Vapor-Contínuo” (CONTRA)” ou o método (VLS) “Vapor-Líquido-Contínuo” do CVD. No caso de ZnO, a fonte é caloroso a ~900o Celsius vaporizar os pós da fonte e a amostra é colocada na câmara aonde a temperatura deixa cair a ~800o Celsius. Em a maioria de sistemas isto deixa uma área do não-uniforme para a carcaça, daqui uma área de processos muito estreita para que a amostra seja colocada.

Nossos sistemas contínuos do depósito da fonte foram projectados especificamente acomodar o “Vapor-Contínuo” (CONTRA)” e o método (VLS) “Vapor-Líquido-Contínuo” do depósito do nanowire. Este projecto novo fornece o melhor controle de temperatura da uniformidade da temperatura do material de origem e da carcaça fornecendo zonas de temperatura distintas e separa sistemas de controlo da temperatura do laço fechado. O controle de temperatura melhorado junto com a capacidade aumentada dos sistemas de ET2000-SS e de ET3000-SS é a primeira etapa em trazer estes materiais notáveis aos níveis completos da produção.

Last Update: 15. January 2012 01:40

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