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小组的32纳米薄片图案应用材料可能要归功于

Published on July 18, 2007 at 12:36 AM

应用材料公司今天扩大了其应用的生产者® ACE™SACVD ®(1)系统的推出,其先进的图形解决方案组合。帮助客户延长193纳米光刻技术使用自我,对齐双图案(SADP)计划,应用材料公司的ACE系统提供> 95%的一步覆盖一个高度适形氧化间隔电影,<5%的模式加载和<1%,非,均匀性,使国家的最先进的临界尺寸控制。与> 80每小时晶圆和低的热预算的基准吞吐量相结合,ACE系统提供业界最有生产力的和可扩展SADP在32nm节点及以后的间隔解决方案。

Hichem M'Saad,副总裁兼总经理说,“”光刻技术是努力保持更高的内存存储密度的需求的步伐; SADP技术可以利用现有的光刻计划的模式密度增加了一倍,使得它为32nm和超越的首选解决方案应用材料公司的介质系统和CMP商业集团的经理。 “专有的生产者ACE技术提供了一个无与伦比的台阶覆盖均匀,图案,如应用材料公司的行业领先的薏仁™碳硬掩膜,实现业界最先进的22纳米线/空间阵列膜兼容的电影。”

间隔电影发挥了关键作用,在制造先进的记忆细胞,使用SADP计划。 ACE间隔电影牺牲薏仁线/空间阵列上沉积,变成了硬掩膜创建,在第二薏仁层以下的半间距功能。

应用材料公司的Maydan技术中心应用的ACE技术性能已通过验证。一个先进的TANOS快闪记忆体结构,使用先进SADP技术制造。使用应用的生产者心血管疾病,森特拉® AdvantEdge™G3蚀刻和VeritySEM™计量系统,成功地优化结构。这种先进的学习可以帮助客户减少开发时间和成本实施双重图形技术在他们的下一代设备。

双子商会™架构的应用非常成功的制片人GT™平台提供了业界最高的吞吐量密度。应用材料的制作CVD系统正在使用的每一个主要的芯片制造商,与超过1500名全球运系统。制片人制,建立了应用材料公司的领导在所有先进的心血管疾病的芯片制造技术的应用,包括低K,应变工程,使光刻薄膜,热膜和高温的PECVD(2)。

应用生产者ACE技术在应用材料公司的展台在SEMICON West#1030,将展示应用的组合光刻,使解决方案的一部分。

Last Update: 6. October 2011 07:25

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