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応用材料は 32nm の以下に模造を可能にするためにエースの酸化物のスペーサシステムを解放します

Published on July 23, 2007 at 3:12 PM

Applied Materials、 Inc. は今日 Producer® 応用 ACE™ SACVD®(1) システムの進水が付いている高度の模造の解決のポートフォリオを広げました。 助力顧客は自己一直線に並べられた二重模造スキームを使用して 193nm 石版印刷を (SADP)、応用エースシステム渡しま >95% のステップ適用範囲、 <5% パターンローディングおよび <1% の不均等の非常に等角の酸化物のスペーサのフィルムを拡張しま、最新式の重大な次元制御を可能にします。 時間および低い熱予算ごとの >80 ウエファーの基準スループットと結合されて、エースシステムは企業をのおよび向こう SADP 32nm ノードのためのプロダクティブおよび最も拡張可能なスペーサの解決提供します。

ハイメモリの記憶の密度のための要求に合わせるために 「石版印刷は努力しています; SADP の技術は現在の litho スキームを使用してパターン密度の倍増を、それに 32nm のための好まれた解決をおよび向こうする」、 Hichem M'Saad 言いました、副大統領および応用材料のの総務部長を」誘電性システムおよび CMP のビジネスグループ可能にします。 「専有生産者のエースの技術無比のステップ適用範囲のフィルムを渡し、 APF™カーボン hardmask を導く応用企業のような模造のフィルムと互換性がある均等性は企業の最先端の 22nm ライン/スペースを達成するために配列します」。は

スペーサは SADP を使用して製造の高度のメモリセルに於いての重要な役割が計画する演劇を撮影します。 犠牲的な APF ライン/スペースアレイの上に沈殿させて、エースのスペーサのフィルムは次第 2 APF の層で半ピッチ機能を作成する堅いマスクになります。

応用エースの技術のパフォーマンスは応用 Maydan の技術センターで認可されました。 高度 TANOS のフラッシュ・メモリの構造は高度 SADP の技術を使用して製造されました。 構造は応用生産者 CVD、 Centura® AdvantEdge™ G3 の腐食および VeritySEM™の度量衡学システムを使用して正常に最適化されました。 この高等教育は次世代装置の二重模造の技術を実行するための開発時間そしてコストの削減の顧客を助けることができます。

加えられた非常に正常な生産者 GT™のプラットホームの Chamber™対のアーキテクチャは企業で最も高いスループット密度を提供します。 応用生産者 CVD システムはのあらゆる主要なチップ製造業者によって以上 1,500 のシステムが世界的に出荷した、使用されています。 生産者システムはすべての高度 CVD chipmaking アプリケーションに応用技術のリーダーシップを、低k、緊張工学を含んで確立しま、フィルム、熱フィルムおよび高温 PECVD (2) を litho 可能にします。

(1) SACVD=sub-atmospheric の化学気相堆積

(2) PECVD=plasma は化学気相堆積を高めました 

Last Update: 17. January 2012 02:39

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