应用的材料发行一点氧化物间隔号系统启用仿造在 32nm 以下

Published on July 23, 2007 at 3:12 PM

Applied Materials, Inc. 今天扩展了先进的仿造的解决方法其投资组合与其应用的 Producer® ACE™ SACVD®(1) 系统生成的。 使用自对齐的双仿造的模式,帮助的客户扩大 193nm (SADP) 石版印刷,应用的一点系统传送与 >95% 步骤覆盖范围、 <5% 模式装载和 <1% 不一致的一部高度保形氧化物间隔号影片,启用科技目前进步水平重要维数控制。 与基准处理量 >80 薄酥饼结合每个时数和一个低热量预算值,一点系统提供以远 SADP 的最有生产力这个的行业的和最可伸长的间隔号解决方法在这个 32nm 节点和。

“石版印刷努力跟上对高端内存存贮密度的需求; 使用当前 litho 模式, SADP 技术启用加倍模式密度,做它 32nm 的首选解决方法和以远”,总经理说 Hichem M'Saad,副总统和应用的材料’电介质系统和 CMP 业务组。 “所有权生产者一点技术传送不匹配步骤覆盖范围影片,并且是与仿造的影片兼容例如导致 APF™碳 hardmask 的应用的行业的均一,达到行业的最先进的 22nm 线路/空间排列”。

间隔号摄制在制造的先进的存储单元的一个关键角色使用 SADP 策划的作用。 存款在一个牺牲 APF 线路/空间列阵顶部,一点间隔号影片成为在下面第二块 APF 层创建半间距功能的困难屏蔽。

应用的一点技术性能被验证了在应用的 Maydan 技术中心。 使用一个先进的 SADP 技术,一个先进的 TANOS 闪存结构被制造了。 使用应用的生产者 CVD、 Centura® AdvantEdge™ G3 铭刻和 VeritySEM™计量学系统,这个结构顺利地被优选了。 此高等教育可能协助解决减少的研制时间和费用客户实施的在他们的下一代设备的双仿造的技术。

被应用的非常成功的生产者 GT™平台双 Chamber™结构提供行业的最高的处理量密度。 应用的生产者 CVD 系统由每个专业芯片制造者使用,与超过 1,500 个系统运送了全世界。 生产者系统在所有先进的 CVD chipmaking 的应用设立了应用技术领导,包括低k,张力工程, litho 启用影片、热量影片和高温 PECVD (2)。

(1) SACVD=sub-atmospheric 化学气相沉积

(2) PECVD=plasma 提高了化学气相沉积 

Last Update: 14. January 2012 22:57

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit