石版影印進程 Nanoscale 詳細資料

Published on December 13, 2007 at 10:34 AM

國家標準技術局的 (NIST) 科學家做第一個直接測量用於先進的半導體設備製造的稀薄的聚合物影片的無窮小的擴展和摺疊。 它是仅兩三毫微米問題,但是它可以是影響下一代籌碼製造性能的足够。 NIST 評定,詳述在一份新的文件,提供新的答案到啟用強大的新的集成電路的大量生產的複雜化學。

石版影印進程的概要顯示延長從光致抗蝕劑材料的梯度的形成將被去除 (中心) 到抵抗的未曝光的部分在端的。 NIST 評定提供可能造成在最終被沖洗的圖像的坎坷的開發員造成的殘餘的膨脹分數。

最小的重要功能在內存或處理機碎片裡包括晶體管 「門」。 在今天最先進的籌碼,門長度是大約 45 毫微米,并且這個行業為 32 毫微米門爭取。 要編譯接近一十億支晶體管在現代微處理器,製造商使用石版影印,高科技,打印技術 nanoscale 版本。 使用屏蔽和短波光 (193 毫微米),半導體片用光致抗蝕劑薄膜,一種基於聚合物的公式化塗,并且顯示與一個期望模式。 光更改抵抗的顯示的部分的可溶性,并且開發員流體用於沖走抵抗,留下為進一步處理使用的模式。

正確地什麼發生在顯示和未曝光的光致抗蝕劑之間的界面成為 32 毫微米進程設計的一個重要問題。 大多光致抗蝕劑膨脹的顯示的區輕微和溶化,當洗滌以這位開發員。 然而此膨脹可能導致聚合物公式化分隔 (像油和水) 和修改抵抗的未曝光的部分在這個模式的邊緣,粗化這個邊緣。 对 32 毫微米功能,製造商要暫掛此坎坷到至多大約二或三毫微米。

這個進程的行業設計假設在顯示的 「潛在」圖像的邊緣坎坷在光致抗蝕劑調用直接地到這個被開發的模式的一個十分簡單的關係,但是 NIST 評定顯示一個更加複雜的進程。 通過替代在化學的基於氘的重水, NIST 小組能使用中子觀察整個過程在毫微米縮放比例。 他們查找那在允許顯示的區邊緣交互選擇光致抗蝕劑的要素這位開發員擊穿幾毫微米到未曝光抵抗。 當烘乾時,此界面區脹大并且依然是圓鼓在這個漂洗的進程期間,崩潰表面。 膨脹的大小大於在抵抗的分子顯著,并且邊緣效應可能限制光致抗蝕劑的能力達到需要的邊緣解決方法。 另一方面,研究員请說,他們的評定給予新的洞察力到如何可能修改抵抗化學控制膨脹到最佳的級別。

Last Update: 23. January 2012 12:12

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