Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

Стандарт Прикладных Комплектов Материалов Новый для Чистки Photomask

Published on April 15, 2008 at 9:50 AM

Прикладной Материалы, Inc. сегодня выпустило свое Прикладное Перекрещение Чистое, систему Tetra™ индустрии единственную влажную чистую которая поставляет повреждени-свободную, эффективность удаления частицы >99% для photomasks 32nm-and-beyond. Позволяющ клиенты превысить спецификации 32nm для критических применений чистки маски, система компактного Tetra Перекрещения Чистая также устанавливает новый стандарт для урожайности, предлагая до 4 временам объём любой состязаясь системы.

«Обычные системы чистки photomask не могл соотвествовать маск ведущей кромки чистки эффектно без повреждать их,» сказал Ajay Kumar, генеральный директор Etch Маски Прикладных Материалов' и Очищает расделение продукта. «Мы отжимали этот барьер технологии с системой Tetra Перекрещения Чистой, позволяющ создателя маски достигнуть быстрого представления чистки им пока поддерживающ управление герметичности и участка характеристики маски которое их покупательский спрос.»

Представление системы Tetra Перекрещения Чистой замечательное, которое уже было утвержено в промышленной среде 45nm, результат нескольких рационализаторств в технологии чистки. Характеристики системы уникально, гибкая конструкция и сер-свободные, предварительные амиак-основанные агенты чистки которые совмещают для того чтобы увеличить удаление фоторезиста и частицы без повреждать маску. Собственническая Равномерная технология Megasonics™ (UCM) Кавитации распределяет энергию равномерно над всей поверхностью маски, во избежание повреждени-причиняя спайки произведенные традиционным пункт-источником megasonic [1] очищает. Система Tetra Перекрещения Чистая также вводит технологию которая использует уникально конструкцию сопла для того чтобы создать малое, равномерно, капельки NanoDroplet™ высок-момента которые равномерно распределяют энергию и помогают поставить представление чистки 32nm-and-beyond.

Объём отметки уровня высокое системы Tetra Перекрещения Чистой позволено своей способностью обработать обе стороны маски одновременно, режа отростчатое время в половине сравненной к другим системам чистки. Эта характеристика включает extendibility к будущим поколениям маски путем позволять различным химиям быть использованным на каждой стороне без смешивать. Систему можно установить при модули множественный обрабатывать, предлагая создателям маски емкость исключить обрабатывать bottlenecks и уменьшить времена цикла. Для больше информации на Прикладном Tetra Перекрещении Чистом, посещение www.appliedmaterials.com/products/reticle_clean_4.html.

Система Tetra Перекрещения Чистая часть портфолио Applied's расширяя разрешений изготавливания и осмотра photomask. Прикладная Tetra система Etch Перекрещения использована фактически каждым предварительным магазином маски в мире для развития и продукции photomask 45nm. Прикладная Система контроля Маски Aera2™, как раз объявленная сегодня, позволяет клиенты немедленно увидеть какая картина будет напечатана на вафле. Эти solutons будут showcased на Форуме в Иокогаме, Японии Прикладных Материалов Техническом, 15-ого апреля во время Photomask Японии 2008 SPIE. Посещение www.appliedmaterials.com/2008_PMJ.

Last Update: 15. January 2012 00:39

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit