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应用材料公司集光掩膜清洁的新标准

Published on April 15, 2008 at 9:50 AM

应用材料公司今天发布了其应用利™光罩清洁,业界唯一的湿式清洗系统,可为无损伤,99%的颗粒去除效率的32nm和超越光掩膜。使客户能够超过关键掩模清洗应用的32nm规格,紧凑的四掩膜清洁系统也设置为生产力的新标准,提供高达四倍的任何竞争系统的吞吐量。

阿贾伊库马尔,应用材料公司蚀刻面膜的总经理说:“传统的光罩清洗系统尚未能满足清洁不损坏的情况下领先口罩有效的挑战,”并清除产品事业部。 “我们已经克服了这个利掩膜清洁系统的技术壁垒,使面膜制造商实现他们的需要,同时保持遮罩功能的完整性和相位控制,他们的客户的需求的快速清洗性能。”

利光罩清洗系统的出色的表现,已经在45纳米的生产环境中进行验证,清洗技术的多项创新的结果。该系统采用一个独特的,灵活的设计和无硫,先进的氨的清洁剂,有机结合起来,最大限度地不破坏面膜的光致抗蚀剂和颗粒去除。专有的统一空蚀Megasonics™技术(UCM)的分配能量均匀地分布在整个口罩表面,避免了传统的点源兆声波清洗[1]造成的损害,产生的尖峰。利掩膜清洁系统还引入了NanoDroplet™技术,它采用了独特的喷嘴设计,以创造小,均匀,高层交往势头,滴,均匀分布能源的32nm和超越清洁性能,并帮助提供。

基准利掩膜清洁系统的高吞吐量启用其能力的面具双方同时治疗,过程的时间减少一半,其他清洗系统相比。此功能可扩展性未来的面具几代允许没有混合使用不同的化学每侧。该系统可配置多个处理模块,面膜制造商提供的能力,以消除处理的瓶颈,缩短周期时间。应用TETRA光罩清洁的详细信息请访问www.appliedmaterials.com/products/reticle_clean_4.html。

利掩膜清洁系统应用不断扩大的光掩膜制造和检测解决方案组合的一部分。应用TETRA光罩蚀刻系统是用来在世界上几乎每一个店的45纳米光掩膜的开发和生产先进的面具。应用Aera2™面膜检查系统,今天刚刚宣布,使客户能够立即看到什么格局将被印在晶圆上。这些solutons将被应用材料技术论坛4月15日在日本横滨,在2008年SPIE光罩日本展出。访问www.appliedmaterials.com/2008_PMJ

Last Update: 8. October 2011 23:50

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