Au Ferdinand-Braun-Institut (FBH) dans le senseur (De haute résolution) d'EpiCurve®TT HEURE de Berlin LayTec est avec succès utilisé pour optimiser le rendement quantique externe et la longueur d'onde d'émission des LED pour la région spectrale UV proche. M. Arne Knauer et collègues appliquent le senseur pour la surveillance de composition des couches-barrière d'AlGaN et d'InAlGaN.
La lordose de Disque pendant l'accroissement de différents barrages d'InAlGaN à 825°C entre la tranche de temps identique d'InGaN jaillit.
Puisque la constitution d'Indium est extrêmement sensible à la température, les petits changements de la température de surface provoquée par exemple par la proue de disque pendant l'accroissement peuvent avoir comme conséquence de grandes variations de Dans le teneur dans les couches d'InAlGaN. L'équipe à FBH a élevé les structures multiples de puits (MQW) de tranche de temps avec des barrages de GaN, d'Al GaN et d'InAlGaN avec différent Dans satisfait (entre 0% et 5%) et comparé la lordose de disque des couches d'étalonnage et des couches-barrière multiples (MQW) de puits de tranche de temps. Fig. 2 affiche le développement du signe de lordose pendant le dépôt des couches-barrière avec différentes compositions provenant de différents passages d'accroissement.
L'accroissement de GaN presque naturel et des barrages d'In0.03Al0.16Ga0.81N (courbure rouge) a comme conséquence une lordose presque constante. Les barrages d'In0.05Al0.16Ga0.79N (courbure verte) se développent sous le compactage et pour cette raison le signe de lordose diminuent. Les barrages d'Al0.16Ga0.84N (courbure noire) sont sous la contrainte de traction et les augmentations de lordose. Ces données expliquent la possibilité pour surveiller non seulement le stress, mais également la composition extrêmement des couches minces (8 nanomètre).
Les résultats de l'enquête ont été soumis pour la publication dans les barres obliques de mode de Physica, Démarches du 3ème Colloque International sur les Dispositifs Électroluminescents de Semi-conducteur (ISSLED) Phoenix, ETATS-UNIS, Le 27 avril - 2 mai 2008. Veuillez Pour de plus amples informations entrent en contact avec info@laytec.de.