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使用 LayTec 的監控 EpiCurve TT HR 的傳感器 AlGaN 和 InAlGaN 阻擋層的構成

Published on August 28, 2008 at 2:39 PM

在費迪南德 Braun 學院 (FBH) 柏林 LayTec 的 EpiCurve®TT HR (高分辨率) 傳感器的順利地使用優選外部量子效率和 LEDs 放射波長最近的紫外光譜區域的。 阿爾內 Knauer 和工友博士應用監控的傳感器 AlGaN 和 InAlGaN 的構成阻擋層。

在不同的 InAlGaN 障礙期間增長的薄酥餅曲度在 825°C 的在相同的 InGaN 數量之間湧出。

因為銦並網是高靈敏對這個溫度,薄酥餅弓造成的表面溫度的即零錢在增長期間可能導致大差異在 InAlGaN 層的目錄。 在 FBH 的小組生長了與 GaN、 (MQW) Al GaN 和 InAlGaN 障礙的多個數量井結構以不同在目錄 (在 0% 和 5% 之間) 并且比較了定標層的薄酥餅曲度和多個數量井 (MQW)阻擋層。 圖 2 在阻擋層的證言時用源於不同的增長運行的不同的構成的顯示曲度信號的發展。

接近不勉強的 GaN 增長和 In0.03Al0.16Ga0.81N 障礙 (紅色曲線) 導致接近恆定的曲度。 In0.05Al0.16Ga0.79N 障礙 (綠色曲線) 增長在壓縮下並且曲度信號減少。 Al0.16Ga0.84N 障礙 (黑色曲線) 在張應力和曲度增量下。 此數據展示可能性非常監控不僅重點,而且薄層 (8 毫微米) 的構成。

這個研究的結果為發行被提交了在 Physica 狀態先令,第 3 個國際專題討論會的行動在半導體輕放射的設備 (ISSLED) 菲尼斯,美國, 2日的 4月 27 5月 2008年。 欲知詳情請與 info@laytec.de 聯繫。

Last Update: 23. January 2012 20:33

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