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ASML Revela el Semiconductor Que Extiende del Mapa Itinerario Que Fabrica a 11 Nanómetros y Más Allá

Published on September 30, 2008 at 4:14 PM

ASML Que Lleva A Cabo el NANOVOLTIO (ASML) presenta hoy en el Simposio Internacional 2008 sobre la Litografía Ultravioleta Extrema (EUV) en logros recientes en su programa de la litografía de EUV y revela un mapa itinerario del sistema de producción que utilice la viruta de poco costo que fabrica por lo menos a 11 nanómetros (nm).

La serie de NXE de máquinas de la litografía será empleada una plataforma desarrollada de TWINSCAN™. El Diseño del primer sistema de producción es completo, la cadena de suministro se dedica completo y la fabricación del sistema ha comenzado. ASML tiene actualmente órdenes para cinco de estos sistemas de clientes de la Memoria y de la Lógica en tres continentes.

La “litografía de EUV sigue siendo la opción más atractiva para ampliar la Ley de Moore,” Martin declarado van den Brink, el vicepresidente ejecutivo de ASML del márketing y de la tecnología. “Como único-exposición, tecnología del multi-nodo, EUV ofrece el extendibility más grande en el más barato de la propiedad.”

Los sistemas de producción de NXE son el resultado del aprendizaje y del revelado de la infraestructura hecho posibles por las Herramientas Alfa de la Versión Parcial De Programa de ASML EUV (ADT). en Agosto de 2006 ASML expidió las primeras herramientas de la exposición del completo-campo EUV de la industria. Un EUV ADT fue instalado en IMEC en Lovaina, Bélgica y otra en CNSE en Albany, Nueva York, los E.E.U.U.

Piedras Miliarias de la Tecnología de EUV

IMEC y Albany tienen programas de revelado de EUV que son ejecutados en sistemas de ADT con contínuo mejorar resultados del funcionamiento.

  • Los primeros dispositivos funcionales hechos usando la litografía de EUV en virutas del completo-campo fueron publicados en febrero de 2008.
  • La capa del contacto de una célula funcional de 32 nanómetro SRAM impresa usando la litografía de EUV fue demostrada en julio de 2008.
  • El Progreso con el revelado de la fotoprotección ha rendido 28 medias imágenes del tono del nanómetro usando la única exposición, iluminación convencional, y ningún OPC (Corrección Óptica de la Proximidad). El OPC es una técnica del aumento de la fotolitografía que modifica el modelo del diseño de chips en la máscara para compensar los desvíos de la imagen debido a la difracción.
  • El papel de Sistema se ha mejorado a 5 nanómetro, lo mismo se distancia un cabello humano crece en 1 segundo.
  • La Producción ha considerado un aumento décuplo desde que los sistemas de ADT primero fueron instalados.
  • El primer sistema del prototipo LPP (Plasma Producida Laser) es operativo y la potencia de la explosión 100W fue lograda en horario. LPP es un método de generar los fotones de EUV para la proyección de imagen y será utilizado en los primeros sistemas de producción de NXE. el Licenciamiento-producir-Plasma (DPP) es otro método que se utiliza actualmente en el ASML EUV ADT.
  • Además de trabajo de desarrollo crítico sobre ADT que activa EUVL para la producción, las piedras miliarias críticas de la tecnología se han alcanzado en la dotación física para la plataforma de la producción de volumen.

Last Update: 17. January 2012 07:13

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