新的工艺技术支持启用SOC应用的高集成度

Published on October 3, 2008 at 9:24 AM

奥地利微电子的业务进行全面的晶圆代工服务公司今天宣布,其先进的0.18微米高压CMOS工艺技术“H18”在GSA供应商世博会+在加利福尼亚州圣克拉拉会议的可用性。与IBM公司共同开发,高电压的CMOS工艺的不断提高奥地利微电子开发的高压CMOS技术的第六代,并导致客户被分发到现在已经准备好。

新H18进程提供高集成度,使SoC应用(片上系统),以及最佳的功率电阻(RDSON),这直接导致在如驱动器应用的硅面积减少。此外,这一过程允许没有任何工艺改进的单芯片上集成1.8V,5V,20V和50V设备。如肖特基势垒二极管,高电阻和精密聚,单,双和HiK金属 - 绝缘体 - 金属(MIM)电容器和7层金属层完成国家最先进的高压CMOS工艺的工艺特点。

由于只有少数面具CMOS的基本过程上一级加法都需要实现高电压的能力,H18过程是最具成本竞争力的0.18微米高压CMOS技术,在市场之一。这使得H18技术的无晶圆厂设计公司和IDM厂创建应用在工业,医疗,通信和汽车市场的电源管理产品,显示驱动器,传感器,电容式执行器,打印机和MEMS驱动IC的理想解决方案,支持强大的应用程序,即使在恶劣的环境。

“凭借我们领先的发展过程在高电压CMOS技术诀窍,奥地利微电子补充IBM的专业知识,在先进的CMOS工艺技术制造。”国家托马斯Riener,总经理全面的晶圆代工服务。 “联合开发下一代高电压技术节点,使IBM进入新的市场,并为他们的客户的要求,在发展电源管理,微机电系统接口或医疗产品。非常有竞争力的成本实现尽可能最小的芯片尺寸和性能最高的新H18进程的一个非常有吸引力的解决方案,为奥地利微电子的代工客户。“

“一个了不起的除了IBM的已经很强的180nm的过程中的技术路线图的CMOS7HV过程”国里贾纳Darmoni,IBM晶圆代工主任。“,这项技术是目前导致客户端设计是证明了两个IBM公司和奥地利微电子公司的承诺共同创造级180nm的高电压CMOS技术,我们的客户都受益。“

Last Update: 27. October 2011 12:49

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit