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Modelado de las Estructuras Atómicas y Nulas de Materiales Amorfos

Published on October 14, 2008 at 10:30 AM

Los Investigadores han determinado exactamente las herramientas que modelan las estructuras atómicas y nulas de un material elemental de red-formación. Estas herramientas pueden revolucionar el proceso de crear nuevos paneles solares, pantallas planas, media de almacenamiento óptico y miríada otros dispositivos tecnológicos.

La producción de fósforo rojo amorfo primero fue señalada por A. Vogel en 1813. Ahora los modelos de estructura atómica presión-relacionados 3D se han construido para ser constantes con datos de célula del yunque del diamante del neutrón y de la difracción de Radiografía. Imagen de Scott Dougherty/LLNL.

Las personas, compuestas de investigadores del Laboratorio Nacional de Lorenzo Livermore, Laboratorio de Appleton del Rutherford y Laboratorio Nacional de Lorenzo Berkeley, crearon los modelos 3D de las estructuras presión-relacionadas del fósforo rojo amorfo (un alótropo del elemento fosforado con diversas modificaciones estructurales) que son retratadas por primera vez exactamente por el neutrón y difracción de Radiografía estudia. También desarrollaron un nuevo método para caracterizar exactamente las estructuras nulas dentro de los materiales de red-formación.

Estos resultados en un servicio material elemental como prueba patrón que indica la capacidad de sus herramientas de análisis de retratar exactamente la estructura entera de sistemas materiales amorfos multi-atómicos. La plasticidad mecánica, óptica, magnética y electrónica de materiales amorfos mantiene gran promesa hacia el aumento de tecnologías actuales y emeregentes. Las nuevas herramientas construirán los caminos de un diseño más sistemático que llevan a los avances del R&D.

El fósforo rojo Amorfo (uno-rP) primero fue señalado para ser formado por A. Vogel en 1813 cuando la luz del sol fue enfocada sobre el fósforo blanco. Durante el siglo XX, el uno-rP fue estudiado intenso usando una amplia gama de herramientas experimentales y teóricas.

Comenzando en los años 70 y los años 80, los materiales amorfos o desordenados fueron encontrados para exhibir tecnológico propiedades viables por su papel fundamental en células fotovoltaicas y media de almacenamiento optoelectrónicos portátiles tales como Cdes, DVDs, y discos más recientes de Blu-Ray. Sin Embargo, las tentativas de los científicos de caracterizar exactamente los materiales elementales aparentemente simples como el uno-rP fueron obstaculizadas porque no existieron las herramientas de análisis apropiadas simple.

Pero las personas recientes de científicos: José Zaug del LLNL, Alan Soper del Rutherford y Simon Clark de LBL, mediciones conducto de la Radiografía y de micro-Raman del uno-rP en función de la presión aplicada y herramientas de análisis difusas desarrolladas el dispersar para revelar inequívoco no sólo las estructuras atómicas 3D, pero también las estructuras del claro que afectan importante a propiedades materiales a granel.

Los modelos de la Radiografía de muchos materiales amorfos revelan un pico inusualmente estrecho y a veces notable intenso de la difracción. El primer pico sostenido de la difracción (FSDP) de sistemas multi-atómicos ahora predominantemente se valida para ser asociado a los claros atómicos de la escala que resultan de geometrías de la vinculación de la substancia-substancia química.

Como se explica en el estudio que aparece en la edición en línea del 12 de octubre de los Materiales de la Naturaleza del gorrón, las nuevas herramientas de análisis nulas pueden revelar que los claros materiales amorfos atómicos multi ocurren más simple de fluctuaciones de la densidad-densidad.

Las herramientas de análisis difusas el dispersar desarrolladas por estos científicos activarán rutas más sistemáticas de la ingeniería hacia diseño y la caracterización de materiales amorfos.

Las personas utilizaron la Fuente De Luz Avanzada, línea 12.2.2 del Haz, en el Laboratorio de Lorenzo Berkeley para conducto las mediciones el dispersar de Radiografía.

Last Update: 17. January 2012 07:04

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