Hoy en el tiempo Finlandés del mediodía, Kai-Erik Elers, Gerente Técnico de las Aplicaciones del fabricante Atómico de cabeza Picosun (ALD) Oy de los sistemas de la Deposición de la Capa presenta y defiende su tesis “Deposición del Doctorado de la Barrera de Difusión del Cobre en los Dispositivos del Circuito Integrado por Técnica Atómica de la Deposición de la Capa” en el Departamento de la Química de la Facultad de Ciencia de la Universidad de Helsinki.
La disertación de Elers estudia la viabilidad de los nuevos procesos de la barrera de difusión para talla de característica de cobre de la metalización y de la disminución de los dispositivos del circuito integrado.
La metalización De Cobre comprende totalmente un nuevo flujo de proceso con los nuevos materiales tales como aisladores y tapones inferiores-k del grabado de pistas, que están haciendo exigir de la integración de la barrera de difusión. La técnica Atómica de la Deposición de la Capa es una de las técnicas más prometedoras para depositar la barrera de difusión de cobre para los dispositivos futuros.
El “Estímulo para mi disertación fue basado en oportunidades de asunto posibles en el mercado de la metalización. Cuando comencé a trabajar en mi tesis, se preveía que los procesos de la barrera de difusión usados por la industria de IC lleguen a ser en ese entonces inadecuados. En 2006, Intel introdujo el uso del método de ALD para la fabricación en grandes cantidades de transistores con el alto-k material. Evidentemente, la técnica de ALD había establecido su posición en la producción de IC que la hacía más fácil para que los nuevos procesos de ALD se establezcan.” Kai-Erik Elers dice.
“Mi meta era estudiar una área específica de ALD para la integración posible en procesos de fabricación industriales. ALD representa un proceso posible de la barrera de difusión como opción a la opción existente de la industria (Deposición de Vapor Física). Sin Embargo, los requisitos de la relación de aspecto han seguido siendo moderados en la metalización de cobre que hacía le posible al fragmento el uso de tecnología actual. Será interesante ver en qué barreras de la aplicación ALD para la metalización de cobre serán utilizadas primero,” Elers dice.
La disertación de Kai-Erik Elers se puede descargar de http://ethesis.helsinki.fi
18 de noviembre de 2008 Asentado