Oggi a tempo Finlandese di mezzogiorno, Kai-Erik Elers, Gestore Tecnico delle Applicazioni del produttore Atomico principale Picosun (ALD) Oy dei sistemi del Deposito del Livello presenta e difende la sua tesi “il Deposito di PhD della Barriera Di Diffusione Del Rame sulle Unità del Circuito Integrato dalla Tecnica Atomica del Deposito del Livello„ al Dipartimento di Chimica della Facoltà di Scienza dell'Università di Helsinki.
La dissertazione di Elers studia la possibilità di nuovi trattamenti della barriera di diffusione per feature size di rame della diminuzione e della metalizzazione delle unità del circuito integrato.
La metalizzazione Di Rame comprende un assolutamente nuovo flusso trattato con i nuovi materiali quali gli isolanti ed i tappi bassi-K incissione all'acquaforte, che stanno facendo la richiesta di integrazione della barriera di diffusione. La tecnica Atomica del Deposito del Livello è una delle tecniche di promessa per depositare la barriera di diffusione di rame per le unità future.
“La Motivazione per la mia dissertazione è stata basata sulle occasioni d'affari possibili nel servizio della metalizzazione. Quando ho cominciato lavorare alla mia tesi, è stato preveduto che i trattamenti della barriera di diffusione usati dall'industria di IC allora stessero diventando insufficienti. Nel 2006, Intel ha introdotto l'uso del metodo di ALD per fabbricazione in grande quantità dei transistor con materiale alto--K. Evidentemente, la tecnica di ALD aveva stabilito la sua posizione nella produzione di IC che la rende più facile affinchè i nuovi trattamenti di ALD si stabilisca.„ Kai-Erik Elers dice.
“Il Mio scopo era di studiare un'area specifica di ALD per integrazione possibile nei processi di fabbricazione industriali. ALD rappresenta un trattamento fattibile della barriera di diffusione come alternativa alla scelta attuale dell'industria (Deposito di Vapore Fisico). Tuttavia, i requisiti di allungamento sono rimanere moderati nella metalizzazione di rame che permette in misura l'uso della tecnologia corrente. Sarà interessante da vedere quale barriere dell'applicazione ALD per la metalizzazione di rame saranno usate in primo luogo,„ in Elers dice.
La dissertazione di Kai-Erik Elers può essere scaricata da http://ethesis.helsinki.fi
18 novembre 2008 Inviato