今日正午のフィンランド時に、 Kai エリック Elers はヘルシンキの大学の科学の能力の (ALD)化学の部門で、一流の原子層の沈殿システム製造業者の Picosun Oy 技術的なアプリケーションマネージャ彼の PhD の説 「原子層の沈殿技術による集積回路装置の銅拡散障壁沈殿」を示し、守ります。
Elers の論文は銅のメタライゼーションのための新しい拡散障壁プロセスの可能性および集積回路装置の減少した形状を調査します。
銅のメタライゼーションは拡散障壁の統合の要求を作っている腐食ストッパーから成り立ちます、および低k 絶縁体のような新しい材料との全く新しいプロセスフロー。 原子層の沈殿技術は未来の装置のための銅の拡散障壁を沈殿させる最も有望な技術の 1 つです。
「私の論文のための刺激はメタライゼーションの市場の可能な商機に基づいていました。 私が私の説に取り組み始めたときに IC 工業によって使用された拡散障壁プロセスがその時に不十分になっていたことが期待されました。 2006 年に、 Intel は高k 材料が付いているトランジスターの大量の製造業のための ALD 方法の使用をもたらしました。 明らかに、 ALD の技術は新しい ALD プロセスが彼ら自身を確立することができる」。ようにそれをもっと簡単にする IC の生産の位置を確立しました Kai エリック Elers は言います。
「私の目的は産業製造工程に可能な統合のための ALD の 1 つの特定地域を調査することでした。 ALD は企業 (物理的な蒸気沈殿) の既存の選択に代わりとして実行可能な拡散障壁プロセスを表します。 ただし、アスペクトレシオの条件は現在の技術のそれに範囲に可能に使用をする銅のメタライゼーションに適当に残りました。 銅のメタライゼーションのためのどのアプリケーション ALD 障壁が最初に使用されるかと」、 Elers で見ることは興味深いです言います。
Kai エリック Elers の論文は http://ethesis.helsinki.fi からダウンロードすることができます
2008 年 11 月 18 日掲示される