Сегодня в полдень по финскому времени, Кай-Эрик Элерс, технический менеджер приложений из ведущих атомно-слоевого осаждения (ALD) систем производитель Picosun Oy представляет и защищает кандидатскую диссертацию "Медные диффузионного барьера Осаждение на интегрированных устройств цепи методом атомно-слоевого осаждения Техника" на Химический факультет Факультет естественных наук Университета Хельсинки.
Диссертации Элерс 'исследования осуществимости новых диффузионного барьера процессов металлизации меди и уменьшение размера элемента интегрированных устройств цепи.
Медная металлизация включает в себя совершенно новый поток процесса с новыми материалами, такими как низкое-к изоляторам и травления пробки, которые делают интеграцию диффузионного барьера требовательным. Атомная техника осаждения слоя является одним из наиболее перспективных методов месторождения меди диффузионного барьера для будущих устройств.
"Мотивация для моей диссертации была основана на возможные возможности для бизнеса в металлизации рынке. Когда я начал работать над своей диссертации, ожидалось, что диффузионного барьера процессы, используемые IC промышленности в то время становились неадекватными. В 2006 году корпорация Intel представила использования из ALD метод высоким объемом производства транзисторов с High-K материал. Очевидно, что метод ALD создали свои позиции в производстве СК делая проще для новых процессов, ALD, чтобы утвердиться ". Кай-Эрик Элерс говорит.
"Моя цель заключалась в изучении одной конкретной области ALD для возможного включения в промышленных производственных процессов. ALD представляет возможным процесс барьер диффузии в качестве альтернативы существующим выбор промышленности (физического осаждения паров). Тем не менее, требования пропорции остались умеренными в медь металлизация позволяющие степени использования современных технологий. Будет интересно увидеть, в каком приложении ALD барьеров для медной металлизации будет использоваться в первую очередь ", говорит Элерс.
Кай-Эрик Элерс 'диссертации можно скачать с http://ethesis.helsinki.fi
Добавлено 18 ноября 2008