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„Gettering-und Defekt-Technik in Bericht der Halbleitertechniks-XII“ Erhältlich von der Forschung und von den Märkten

Published on November 28, 2008 at 7:01 AM

Forschung und Märkte hat die Einführung des „Gettering-und Defekt-Technik in Berichts der Halbleitertechnik XII“ zu ihrem Angebot angekündigt.

„Ausgewählte, Gleicher wiederholte Papiere vom Gettering und Defekt-Technik in der Halbleitertechnik - GADEST 2007“ hielt von 14 zum 19. Oktober 2007 in Italien am EMFCSC an

Diese Sammlung enthält 117 Gleicher wiederholte Papiere, die von über 70 Forschungsinstitutionen in mehr als 25 Ländern angefordert werden. Diese Papiere, international geschrieben von - anerkannten Spezialisten auf dem Gebiet, Zusammenfassung das aktuelle hochmoderne und sagen zukünftige Tendenzen in den Forschungsgebieten ihrer jeweiligen Autoren voraus. Grundlegende Aspekte sowie die technologischen Probleme, die mit Defekten in den elektronischen Materialien und in den Einheiten verbunden sind, werden angesprochen

Die Sammlung wird in die Kapitel unterteilt: Kristallenes Silikon für Solarzellen: einzelne Kristalle, multi-kristallenes Si, Bänder, Dünnfilme des Si auf Substratflächen; Silikon-Basierte Materialien und hoch entwickelte Halbleitermaterialien (belastetes Si, SOI, SiGe Sic GE); Verunreinigungen (Sauerstoff, Kohlenstoff, Stickstoff, Fluor, Metalle) im Si; Formungssimulation von Defekten in den Sihalbleitern; Defekttechnik in der Mikroelektronik und im photovoltaics; Gettering- und Passivierungstechniken; Defekt- und Verunreinigungskennzeichnung (körperlich und elektrisch); Si-Basiertes Nanostructures (nanocrystals, nanowires, nanodevices); Silikon-Basierte Heterostrukturen und Optoelektronik.

Last Update: 14. January 2012 15:19

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