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“Ingeniería del Vaciado Químico y del Defecto en Semiconductor Parte de la Tecnología XII” Disponible de la Investigación y de Mercados

Published on November 28, 2008 at 7:01 AM

La Investigación y los Mercados ha anunciado la adición “Ingeniería del Vaciado Químico y del Defecto en Semiconductor del parte de la Tecnología XII” a su ofrecimiento.

“Papeles Seleccionados, par revisados del Vaciado Químico e Ingeniería del Defecto en Tecnología de Semiconductor - GADEST 2007” sujetó a partir de la 14ta a 19 de octubre de 2007 en Italia en el EMFCSC

Esta colección comprende 117 papeles revisados par invitados sobre de 70 instituciones de investigación en más de 25 países. Estos papeles, escritos por internacionalmente - los expertos reconocidos en la materia, revista el avanzado actual y predicen las tendencias futuras en los campos de la investigación de sus autores respectivos. Se abordan los aspectos Fundamentales, así como los problemas tecnológicos asociados a defectos en materiales y dispositivos electrónicos,

La colección se divide en los capítulos: Silicio Cristalino para las células solares: únicos cristales, Si multi-cristalino, cintas, películas finas del Si en los substratos; materiales Silicio-Basados y materiales avance del semiconductor (Si, SOI esforzados, SiGe, Sic, GE); Impurezas (oxígeno, carbón, nitrógeno, flúor, metales) en el Si; Simulación de Modelado de defectos en semiconductores del Si; Ingeniería del Defecto en microelectrónica y photovoltaics; Técnicas del Vaciado Químico y de la pasivación; Caracterización del Defecto y de la impureza (físico y eléctrico); Nanostructures Si-Basado (nanocrystals, nanowires, nanodevices); heteroestructuras y optoelectrónica Silicio-Basadas.

Last Update: 17. January 2012 05:58

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