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"Getter et Ingénierie des défauts dans la technologie des semiconducteurs XII« Rapport Disponible à partir Research and Markets

Published on November 28, 2008 at 7:01 AM

Research and Markets a annoncé l'ajout de la "getter et Ingénierie des défauts dans la technologie des semiconducteurs XII" rapport à leur offre.

"Sélectionné par les pairs documents examinés par getter et Ingénierie des défauts dans la technologie des semiconducteurs - GADEST 2007» qui s'est tenue du 14 au 19 Octobre 2007 en Italie à la EMFCSC

Cette collection comprend 117 articles revus par des pairs invités de plus de 70 institutions de recherche dans plus de 25 pays. Ces documents, rédigés par des experts reconnus internationalement dans le domaine, l'examen de l'état actuel de l'art et de prévoir les tendances futures dans les domaines de leurs auteurs respectifs »de la recherche. Aspects fondamentaux, ainsi que les problèmes technologiques liés à des défauts dans les matériaux et dispositifs électroniques, sont abordées

La collection est divisée en plusieurs chapitres: le silicium cristallin pour les cellules solaires: monocristaux, multi-cristallins Si, rubans, Si les films minces sur des substrats; à base de silicium et matériaux semi-conducteurs avancés (Si contraint, SOI, SiGe, SiC, Ge) ; impuretés (oxygène, carbone, azote, fluor, métaux) en Si, la simulation de la modélisation des défauts dans les semiconducteurs Si, Ingénierie des défauts dans la microélectronique et photovoltaïque; getter et les techniques de passivation; défauts et la caractérisation d'impuretés (physiques et électriques); Si nanostructures à base de (nanocristaux, les nanofils, les nanocomposants); hétérostructures à base de silicium et de l'optoélectronique.

Last Update: 4. October 2011 08:51

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