Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

«Gettering и Дефект Инджиниринг в Полупроводник Отчет О Технологии XII» Доступный от Исследования и Рынков

Published on November 28, 2008 at 7:01 AM

Исследование и Рынки объявляли добавление «Gettering и Дефект Инджиниринг в Полупроводник отчета о Технологии XII» к их предлагать.

«Бумаги Выбранные, пэром расмотренные от Gettering и Дефект Инджиниринг в Технологии Полупроводника - GADEST 2007» держало с 14-ого до 19 октября 2007 в Италии на EMFCSC

Это собрание состоит из 117 бумаг расмотренных пэром приглашенных от над 70 научно-исследовательских институтов в больше чем 25 странах. Эти бумаги, написанные интернационально - узнанными специалистами в сфере, просмотрение настоящее современное и предсказывают будущие тенденции в областях исследований их соответственно авторов. Адресованы Основные аспекты, так же, как технологические проблемы связанные с дефектами в электронных материалах и приборах,

Собрание разделено в главы: Кристаллический кремний для фотоэлементов: одиночные кристаллы, multi-кристаллический Si, тесемки, фильмы Si тонкие на субстратах; Кремни-Основанные материалы и выдвинутые материалы полупроводника (напряженные Si, SOI, SiGe, SiC, Ge); Примеси (кислород, углерод, азот, фтор, металлы) в Si; Имитация Моделирования дефектов в полупроводниках Si; Инженерство Дефекта в микроэлектронике и photovoltaics; Методы Gettering и запассивированности; Характеризация Дефекта и примеси (физическо и электрическо); Si-Основанное Nanostructures (nanocrystals, nanowires, nanodevices); Кремни-Основанные гетероструктуры и оптическая электроника.

Last Update: 14. January 2012 16:01

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit