“在半导体技术 XII 的采煤和缺陷工程”报表可得到从研究和市场

Published on November 28, 2008 at 7:01 AM

研究和市场宣布了 “在半导体技术 XII 的采煤和缺陷工程”报表的添加对他们提供。

“从采煤的所选的,被评论的文件和缺陷工程在半导体技术 - GADEST 2007年”暂挂了从 2007年 10月第 14 到 19日在意大利在 EMFCSC

此收集在超过 25 个国家(地区) 包括从 70 个研究机构邀请的 117 份被评论的文件。 这些文章,写由国际公认的专长领域,复核当前科技目前进步水平和预测在他们的各自作者的研究领域的将来的趋势。 根本方面,以及技术问题与在电子材料和设备的缺陷相关,论及

收集分开成本章: 太阳能电池的水晶硅: 单晶,多水晶 Si,丝带,在基体的 Si 薄膜; 基于硅的材料和提前的半导体材料 (紧张的 Si, SOI, SiGe, SiC, Ge); 杂质 (氧气、碳、氮气、氟素,金属) 在 Si; 缺陷的模型仿真在 Si 半导体的; 在微电子学和 photovoltaics 的缺陷工程; 采煤和钝化技术; 缺陷和杂质描述特性 (实际和电); 基于 Si 的 Nanostructures (nanocrystals、 nanowires, nanodevices); 基于硅的异质结构和光电子学。

Last Update: 14. January 2012 09:01

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