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“吸雜和缺陷在半導體技術第十二工程”報告的研究和市場

Published on November 28, 2008 at 7:01 AM

研究與市場已宣布的“吸雜和缺陷在半導體技術第十二工程”報告,他們的產品除了。

“選擇,同行評審的論文,從吸除和半導體技術的缺陷工程 - GADEST 2007年”14日至2007年10月19日在意大利舉行的EMFCSC

這個集合包括117同行評審邀請來自 70多個科研機構超過 25個國家的論文。這些論文,在該領域的國際公認的專家撰寫,審查當前狀態,並預測未來的發展趨勢,在其各自作者的研究領域。基本方面,以及與電子材料和器件的缺陷相關的技術問題,解決

收集分為章節:晶體矽太陽能電池:單晶,多晶矽,色帶,矽薄膜基板上;矽基材料和先進的半導體材料(應變矽,絕緣矽,矽鍺,碳化矽,葛) ;雜質(氧,碳,氮,氟,重金屬)在Si;模型模擬矽半導體中的缺陷,缺陷工程,微電子和光電;吸雜和鈍化技術缺陷和雜質的特性(物理和電氣);基於矽納米結構(納米晶體,納米線,納米器件);矽基異質結構和光電。

Last Update: 5. October 2011 05:53

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