应用材料公司信息重大努力,使硅通孔的广泛采用

Published on December 1, 2008 at 6:19 PM

应用材料公司今天宣布,它是导致了重大的努力,使广泛采用穿透硅通孔(TSV),垂直堆叠集成电路(IC)电路来提高芯片的性能和功能在一个较小的的方法迅速的新兴区。 TSV技术将是至关重要的更快,更小的电子产品满足消费者的需求,使应用程序,如DDR4 DRAM存储器和未来的通信和移动互联网芯片。由于实施TSV的最大障碍是成本,应用内部和与其他设备供应商正在开发一个综合的,高的晶圆处理流程性能,降低成本,降低风险,并为客户加快上市时间。

三维(3 - D)的IC集成芯片设计者提供高密度,低功耗设备,在更小的体积,没有一定缩放技术节点的一种新方法。通过修改传统的晶圆加工和包装步骤,多层次的相似或不同的2 - D设备堆叠使用TSV的互连,使他们作为一个单一的设备,从而避免多种功能结合在一个芯片上的成本,空间和性能相关的问题。

有几种方法,TSV的实施和应用已经经过生产验证的300毫米系统和流程,为广大的TSV制造步骤所需,包括面膜,蚀刻,薄膜沉积和CMP *技术。例如,同时宣布的应用森特拉®西尔维娅™蚀刻系统是专门设计,以实现高性能,低成本TSV应用。为了加快主流应用,应用正与其他设备供应商,如Semitool公司和晶圆键合机,充分体现进程间的依赖关系,同时降低整体成本。

TSV的功能的产品的价值预计将显着增加其增强的性能,反过来抵消了制造成本增加的基础上。设备供应商EMC - 3D联盟估计这一目标成本是每片晶圆190美元;应用材料公司的目标是降低成本低于每片晶圆150美元。

“TSV技术将彻底改变芯片设计,具有很大的潜力,拓展到更复杂的集成内存/逻辑应用,我们与其他设备供应商的合作是一个创新的方式做生意的,是有利于行业,并能解决客户问题,”汉斯说鹳,集团应用的硅系统集团副总裁兼首席技术官。 “的能力,以验证我们的Maydan技术中心的完整的处理流程为我们提供了一个独特的窗口,我们如何能够降低成本和减轻客户的风险,在采用TSV的进程,通过提供技术和关键供应商之间的关系,我们可以帮助加快采用TSV的主流制造“。

Last Update: 7. October 2011 18:52

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit