應用材料公司信息重大努力,使矽通孔的廣泛採用

Published on December 1, 2008 at 6:19 PM

應用材料公司今天宣布,它是領先的一項重大努力,使穿透矽通孔(TSV),垂直堆疊集成電路(IC)電路,以提高芯片的性能和功能,在一個較小的的方法迅速崛起的廣泛採用區。 TSV技術將是至關重要的更快,更小的電子產品滿足消費者的需求,使應用程序,如DDR4 DRAM存儲器和未來的通信和移動互聯網芯片。由於實施 TSV的最大障礙是成本,應用內部和與其他設備供應商正在開發一個綜合的,高的晶圓處理流程性能,降低成本,降低風險,並為客戶加快上市時間。

三維(3 - D)的IC集成芯片設計者提供高密度,低功耗設備,在更小的體積,沒有一定縮放技術節點的一種新方法。通過修改傳統的晶圓加工和包裝步驟,多層次的相似或不同的2 - D設備堆疊使用TSV的互連,使他們作為一個單一的設備,從而避免多種功能結合在一個芯片上的成本,空間和性能相關的問題。

有幾種方法,TSV的實施和應用已經經過生產驗證的300毫米系統和流程,為廣大的TSV製造步驟所需,包括面膜,蝕刻,薄膜沉積和CMP *技術。例如,同時宣布的應用森特拉®西爾維婭™蝕刻系統是專門設計,以實現高性能,低成本TSV應用。為了加快主流應用,應用正與其他設備供應商,如Semitool公司和晶圓鍵合機,充分體現進程間的依賴關係,同時降低整體成本。

TSV的功能的產品的價值預計將顯著增加其增強的性能,反過來抵消了製造成本增加的基礎上。設備供應商EMC - 3D聯盟估計這一目標成本是每片晶圓 190美元;應用材料公司的目標是降低成本低於每片晶圓 150美元。

“TSV技術將徹底改變芯片設計,具有很大的潛力,拓展到更複雜的集成內存 /邏輯應用,我們與其他設備供應商的合作是一個創新的方式做生意的,是有利於行業,並能解決客戶問題,”漢斯說鸛,集團應用的矽系統集團副總裁兼首席技術官。 “的能力,以驗證我們的Maydan技術中心的完整的處理流程為我們提供了一個獨特的窗口,我們如何能夠降低成本和減輕客戶的風險,在採用 TSV的進程,通過提供技術和關鍵供應商之間的關係,我們可以幫助加快採用TSV的主流製造“。

Last Update: 5. October 2011 21:11

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