Vistec電子束的供應商，以及半導體研究組CEA / Leti的，和新興的設計和軟件公司D2S，今天宣布一個合作-專注於煉油和驗證先進的設計，電子束（DFEB）解決方案，為45和32納米節點。 CEA / Leti的將在未來 12個月，製造測試芯片，結合使用D2S DFEB先進的設計和軟件功能和最新的高分辨率電子束直寫（EBDW）光刻設備從 Vistec。此次合作的目標是45 - 32納米的電路，使用Vistec電子束的SB3054系統安裝在CEA / Leti的打印。
高速，低成本
推動這項共同努力的需要，是半導體口罩，這是經濟上是不可行的定制IC生產小批量的成本不斷上升。使用電子束工具直接寫入到一個晶圓模式一直是最準確的方法模式的半導體晶片，但吞吐量較低，使用傳統的變量形梁（VSB）的方式，限制了其應用。 DFEB的解決方案，通過有效運用字符或細胞投影（CP）技術重新編寫周圍 EBDW吞吐量規則，幾乎消除了口罩的成本，可以加快上市時間縮短了從設計到光刻工藝流。
D2S“專有的DFEB解決方案，鼓勵和隔離芯片設計中最常用的循環模式，並把它們翻譯成”迷你光罩“的模板。然後使這些複雜的圖案，在晶片上的一個單桿複製一個模板上一個小型的十字線的準備。這是通過使用Vistec的SB3054的工具，利用CP的技術。通過減少設計的要求拍攝計數，這種方法提高了超過 VSB的吞吐量，同時提高了精度。
為一種新的生產模式解決方案
亞希藤村，D2S創始人和首席執行官說：“掩膜成本不斷增加，在半導體產業中的諸多挑戰”。 “結合 EBDW與 CP提供了一個低風險，低成本的路徑到一個新的生產模式。高價值的生產者，小批量的設備將於本聯合的努力，以驗證領先的技術節點，由於部分DFEB生態系統合作夥伴，CEA / Leti和Vistec“直寫電子束的解決方案的受益者。
洛朗疼痛，CEA / Leti的光刻技術在實驗室經理，說：“DFEB是一種創新，新的方法來提高電子束的吞吐量，同時提高精度的老問題。我們期待著這種合作，以驗證準確度和吞吐量目標，在45 - 和32納米節點 D2S“先進 DFEB解決方案配合使用Vistec SB3054系統”。
Vistec電子束的總經理沃爾夫岡 Dorl，說：“我們看到集成CP的功能和DFEB軟件，先進的研發和工業原型應用程序驅動的具有挑戰性的吞吐量期望的高清晰度的要求之間的橋樑。 “CP的功能是提供今天從 Vistec，並於近日在CEA / Leti的安裝，使這種合作和研究。”