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Samsung Electronics Desarrolló y Validó la Primera Viruta y Módulo de COPITA de la Clase 40-Nanometer

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

Samsung Electronics Co., Ltd., el líder mundial en la tecnología de memoria avanzada, anunciada hoy que ha desarrollado y ha validado la primera viruta y (nm) módulo de COPITA de la clase de 40 nanómetros. Este nuevo componente de 1-Gigabit DDR2 (x8) y un 1-Gigabyte correspondiente 800Mbps (Megabites por segundo) DDR2 SODIMM (módulo en línea) de la memoria de la pequeña COPITA del contorno - ambos que se tramitarán en 40 nanómetro - se han certificado en el programa de la Validación de la Plataforma de Intel para el uso con los chipsetes movibles Expresos de la serie de Intel® GM45.

La “Sujeción de tecnología extremadamente avanzada y del sistema/de la operabilidad validada plataforma subraya nuestra consolidación como arranque de cinta de la tecnología a desplegar los medios más eficientes de producir COPITA en el mercado,” dijo a Kevin Lee, vicepresidente, márketing técnico, Samsung Semiconductor, Inc.

Se prevee que la migración a la tecnología de proceso de la clase de 40 nanómetro acelere el ciclo del tiempo-a-mercado por el 50 por ciento - a apenas un año. Planes de Samsung para aplicar su tecnología de la clase de 40 nanómetro también para desarrollar un dispositivo de 2Gb DDR3 para la producción en masa a finales de 2009.

La tecnología de proceso de la nueva clase de 40 nanómetro impulsará otras reducciones en voltaje contra un dispositivo de clase de 50 nanómetro, que Samsung prevee traducir a ahorros alrededor de una potencia del 30 por ciento

El nodo más fino de la tecnología de la COPITA también entrega un aproximadamente 60 por ciento de aumento en productividad sobre tecnología de proceso de la clase de 50 nanómetro.

Además, Samsung cuenta con que su nodo de proceso de 40 nanómetro marque un paso de progresión importante hacia el revelado de la generación siguiente, las tecnologías ultraaltas de la COPITA del funcionamiento tales como DDR4.

Last Update: 17. January 2012 04:26

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