Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Samsung Electronics A Développé et A Validé la Premiers Puce et Module de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de la Classe 40-Nanometer

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

Samsung Electronics Cie., Ltd, le leader mondial en technologie de stockage avancée, annoncée aujourd'hui qu'elle a développé et a validé premiers puce et (nm) module de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de classe du nanomètre la 40. Ce composant neuf de 1-Gigabit DDR2 (x8) et un 1-Gigabyte 800Mbps (Mégabits par seconde) correspondant DDR2 SODIMM (module intégré de mémoire de petite MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE d'ensemble) - les deux à traiter à 40 nanomètre - ont été certifiés dans le programme de Validation de Plate-forme d'Intel pour l'usage avec les jeux de puces mobiles Exprès de suite d'Intel® GM45.

La « Fixation de la technologie extrêmement de pointe et du système/de l'opérabilité validée par plate-forme souligne notre engagement comme amorce de technologie à déployer les moyens les plus efficaces de produire la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE dans le marché, » a dit Kevin Lee, vice président, vente technique, Samsung Semiconductor, Inc.

On s'attend à ce que le transfert à la technologie de la transformation de classe de 40 nanomètre accélère le cycle de temps-à-marché par 50 pour cent - à juste un an. Régimes de Samsung pour appliquer sa technologie de classe de 40 nanomètre pour développer également un dispositif de 2Gb DDR3 pour la production de masse d'ici fin 2009.

La technologie de la transformation neuve de classe de 40 nanomètre pilotera d'autres réductions de tension contre un dispositif de classe de 50 nanomètre, que Samsung compte traduire en environ épargne d'une alimentation électrique de 30 pour cent

Le noeud plus fin de technologie de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE fournit également des approximativement 60 pour cent d'augmentation de la productivité plus de technologie de la transformation de classe de 50 nanomètre.

De plus, Samsung compte que son noeud de processus de 40 nanomètre marquera un pas important vers le développement du prochain rétablissement, des technologies ultra-hautes de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de performance telles que DDR4.

Last Update: 17. January 2012 06:02

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit