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Samsung Electronics Ha Sviluppato e Convalidato il Primi Chip e Modulo di DRAM della Classe 40-Nanometer

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

Samsung Electronics Co., Srl, il leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, annunciata oggi che ha sviluppato e convalidato il primi chip e (nm) modulo di DRAM della classe di nanometro 40. Questa nuova componente di 1-Gigabit DDR2 (x8) e un 1-Gigabyte 800Mbps (Megabit corrispondente al secondo) DDR2 SODIMM (modulo in-linea) di memoria di piccolo DRAM del profilo - entrambi da elaborare a 40 nanometro - sono stati certificati nel programma di Convalida della Piattaforma di Intel per uso con i chipset mobili Precisi di serie di Intel® GM45.

“Assicurare estremamente la tecnologia avanzata ed il sistema/l'operabilità convalidata piattaforma sottolinea il nostro impegno come guida della tecnologia a spiegare i mezzi più efficienti di produzione del DRAM nel mercato,„ ha detto Kevin Lee, vice presidente, la vendita tecnica, Samsung Semiconductor, Inc.

La migrazione a tecnologia della trasformazione della classe di 40 nanometro si pensa che acceleri il ciclo di time to market da 50 per cento - ad appena un anno. Pianificazioni di Samsung per applicare la sua tecnologia della classe di 40 nanometro anche per sviluppare un'unità di 2Gb DDR3 per fabbricazione in serie da ora alla fine del 2009.

La tecnologia della trasformazione della nuova classe di 40 nanometro determinerà ulteriori riduzioni della tensione contro un'unità di classe di 50 nanometro, che Samsung pensa tradurre in risparmi di energia circa dei 30 per cento

Il vertice più fine della tecnologia di DRAM egualmente consegna i circa 60 per cento di aumento nella produttività oltre tecnologia della trasformazione della classe di 50 nanometro.

Inoltre, Samsung prevede che il suo vertice trattato di 40 nanometro tracci un punto significativo verso lo sviluppo della generazione seguente, le tecnologie ultraelevate di DRAM della prestazione quale DDR4.

Last Update: 17. January 2012 05:20

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