Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD

סמסונג אלקטרוניקס פותח תקני ה-DRAM ראשון 40 ננומטר מחלקה צ'יפ מודול

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

סמסונג אלקטרוניקס בע"מ , החברה המובילה בעולם בתחום טכנולוגיית זיכרון מתקדמים, הודיעה היום כי היא פיתחה ומאומתים הראשון 40 ננומטר (ננומטר) בכיתה שבב ה-DRAM מודול. זה חדש 1-Gigabit רכיב DDR2 (x8) ו מקבילה 1-Gigabyte 800Mbps (מגה לשנייה) DDR2 SODIMM (המתאר קטן מודול ה-DRAM מוטבעת בזיכרון) - שניהם להיות מעובד ב-40 ננומטר - כבר מוסמך אימות הפלטפורמה של אינטל תוכנית לשימוש עם Intel ® GM45 Express שבבים סדרת ניידים.

"אבטחת הטכנולוגיה המתקדמת ביותר של מערכת / פלטפורמה תוקף operability מדגיש את מחויבותנו כחברה מובילה בטכנולוגיה כדי פריסת האמצעי היעיל ביותר של ייצור ה-DRAM בשוק", אמר קווין לי, סגן נשיא שיווק טכני, סמסונג סמיקונדקטור, Inc

הגירה ל -40 ננומטר טכנולוגיית הכיתה תהליך צפויה להאיץ את מחזור זמן ההגעה לשוק ב -50 אחוזים - עד שנה אחת בלבד. סמסונג מתכננת ליישם את טכנולוגיית 40 ננומטר שלה בכיתה גם לפתח מכשיר 2Gb DDR3 לייצור המוני עד סוף שנת 2009.

התהליך החדש בטכנולוגיית 40 ננומטר בכיתה יניעו הפחתות נוספות מתח נגד מכשיר 50 ננומטר ייצוגית, אשר סמסונג מצפה לתרגם בערך 30 אחוז חיסכון בחשמל

DRAM עדינה הצומת הטכנולוגיה מספקת גם גידול של כ 60 אחוז בפריון למעלה מ -50 ננומטר טכנולוגיית התהליך בכיתה.

בנוסף, סמסונג צופה כי צומת 40 ננומטר שלה תהליך יציינו צעד משמעותי לקראת פיתוח של הדור הבא, Ultra-high-DRAM ביצועים טכנולוגיות כגון DDR4.

Last Update: 4. October 2011 11:05

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit