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Samsung Electronics Desenvolveu e Validou a Primeiros Microplaqueta e Módulo de GOLE da Classe 40-Nanometer

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciada hoje que desenvolveu e validou a primeiros microplaqueta e (nm) módulo de GOLE da classe de 40 nanômetros. Este componente novo de 1-Gigabit DDR2 (x8) e um 1-Gigabyte correspondente 800Mbps (por segundo) DDR2 SODIMM dos Megabits (módulo inline) da memória da GOLE pequena do esboço - ambos a ser processados em 40 nanômetro - foram certificados no programa da Validação da Plataforma de Intel para o uso com os chipset móveis Expressos da série de Intel® GM45.

“Fixando tecnologia extremamente avançada e sistema/plataforma validou relevos da operabilidade nosso comprometimento como o líder da tecnologia a distribuir os meios os mais eficientes de produzir a GOLE no mercado,” disse o Lee de Kevin, vice-presidente, mercado técnico, Samsung Semicondutor, Inc.

A migração à tecnologia de processamento da classe de 40 nanômetro é esperada acelerar o ciclo do tempo-à-mercado por 50 por cento - a apenas um ano. Planos de Samsung para aplicar sua tecnologia da classe de 40 nanômetro para desenvolver igualmente um dispositivo de 2Gb DDR3 para a produção em massa ao fim de 2009.

A tecnologia de processamento nova da classe de 40 nanômetro conduzirá umas reduções mais adicionais na tensão contra um dispositivo de classe de 50 nanômetro, que Samsung espere traduzir em economias aproximadamente de uma potência de 30 por cento

O nó mais fino da tecnologia da GOLE igualmente entrega uns aproximadamente 60 por cento do aumento na produtividade sobre a tecnologia de processamento da classe de 50 nanômetro.

Além, Samsung espera que seu nó do processo de 40 nanômetro marcará uma etapa significativa para a revelação da próxima geração, tecnologias ultra-altas da GOLE do desempenho tais como DDR4.

Last Update: 14. January 2012 10:14

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