三星电子发展了并且验证了第一个 40 毫微米选件类动态随机存储器芯片和模块

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

三星电子 Co.,有限公司,世界领导人在先进的存储技术,今天宣布它发展了并且验证了第一个 40 毫微米 (nm)选件类动态随机存储器芯片和模块。 此新的 1 吉比特 DDR2 要素 (x8) 和一对应的 1 十亿字节 800Mbps (兆每秒) DDR2 SODIMM (小的概述微量轴向内存模块) - 将被处理的两个在 40 nm - 在 Intel 平台验证程序被确认了为与 Intel® GM45 串联快速移动芯片组的使用。

“获取非常先进技术和系统/平台被验证的操作度强调我们的承诺作为技术领先者对部署导致微量最高效的手段在这个市场”,凯文李,营销, Samsung Semiconductor, Inc. 副总统,技术说。

迁移到 40 nm 选件类加工技术由 50% 预计加速定期对市场循环 - 到一年。 适用其 40 nm 选件类技术的三星计划到 2009年底也发展大量生产的一个 2Gb DDR3 设备。

新的 40 nm 选件类加工技术将驱动对电压的进一步减少 50 nm 分类设备,三星期望翻译成大约 30% 功率储蓄

更加细致的微量技术节点也提供一大约 60% 在生产率的增量在 50 nm 选件类加工技术。

另外,三星期待其 40 nm 进程节点将指示一个重大的步骤往下一代的发展,超离频的性能微量技术例如 DDR4。

Last Update: 14. January 2012 06:30

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