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三星電子發展了并且驗證了第一個 40 毫微米選件類動態隨機存儲器芯片和模塊

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

三星電子 Co.,有限公司,世界領導人在先進的存儲技術,今天宣佈它發展了并且驗證了第一個 40 毫微米 (nm)選件類動態隨機存儲器芯片和模塊。 此新的 1 吉比特 DDR2 要素 (x8) 和一對應的 1 十億字節 800Mbps (兆每秒) DDR2 SODIMM (小的概述微量軸向內存模塊) - 將被處理的兩個在 40 nm - 在 Intel 平臺驗證程序被確認了為與 Intel® GM45 串聯快速移動芯片組的使用。

「獲取非常先進技術和系統/平臺被驗證的操作度強調我們的承諾作為技術領先者對部署導致微量最高效的手段在這個市場」,凱文李,營銷, Samsung Semiconductor, Inc. 副總統,技術說。

遷移到 40 nm 選件類加工技術由 50% 預計加速定期對市場循環 - 到一年。 適用其 40 nm 選件類技術的三星計劃到 2009年底也發展大量生產的一個 2Gb DDR3 設備。

新的 40 nm 選件類加工技術將驅動對電壓的進一步減少 50 nm 分類設備,三星期望翻譯成大約 30% 功率儲蓄

更加細致的微量技術節點也提供一大約 60% 在生產率的增量在 50 nm 選件類加工技術。

另外,三星期待其 40 nm 進程節點將指示一個重大的步驟往下一代的發展,超離頻的性能微量技術例如 DDR4。

Last Update: 24. January 2012 08:47

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