Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanoenergy

Исследователя Начинают Романное Тонкопленочное Покрытие Используя Инструмент FlexAL ALD Аппаратур Оксфорда

Published on February 12, 2009 at 6:46 AM

Исследователя начинали романное тонкопленочное покрытие обеспечивая несравненный уровень поверхностной запассивированности кристаллических фотоэлементов кремния. Используя инструмент FlexAL® ALD Аппаратур Оксфорда, команда от Технологического Университета Эйндховена (TU/e) показала что ультратонкие слои алюминиевой окиси депозированные дистанционной плазмой ALD делают существующие покрытия лучше запассивированности оперируя понятиями исключать - нормально значительно - электронные потери на фотоэлементах назад и лицевых поверхностях.

Инструмент Flexal® ALD Аппаратур Оксфорда'

Аппаратуры Оксфорда подгоняли свои популярные инструменты FlexAL и OpAL™ для этого специфического применения, которое приводило к в множественных сбываниях к быстро индустрии фотоэлемента.

Развитие облегчает эффективности прорыва для важного типа фотоэлементов. Это недавно было продемонстрировано в сотрудничестве между TU/e и ведущим Институтом Fraunhofer для Исследования Солнечной Энергии (ISE) в Германии. Эффективность 23,2% была получена для фотоэлементов PERL основанных на n-типе кремнии применением ультратонкого слоя алюминиевой окиси на фронте фотоэлемента. Датировать p-тип фронт этого типа фотоэлементов был трудн для того чтобы запассивировать и улучшение относительной эффективности 6% поэтому значительно выдвижение.

Крис Hodson, Менеджер по Продукции ALD на Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда услажено с этим исследованием, «Др. Kessels и группа Плазмы & Материалов (PMP) Обрабатывая на TU/e нажимает границы исследования ALD в зоны нового применения. Этот прорыв ключевой технологии используя наши инструменты ALD создает реальный интерес, и Я уверенно наше продолжаемое сотрудничество с TU/e принесу более дополнительные выдвижения в это и другие зоны технологии.

Др. Kessels комментирует, «Поверхностная запассивированность главная проблема для кристаллической технологии фотоэлемента кремния, тип фотоэлемента который преобладает 90% из фотовольтайческого рынка. Много покрытий тонкого фильма были изучены для уменьшения электронных потерь на передние и задние поверхности фотоэлементов. До Тех Пор Пока недавно никакие не будут найдены удовлетворительно запассивировать сильно данный допинг p-тип поверхности фотоэлементов следующего поколени основанных на более рентабельном n-типе основном веществе. Во Время недавнего исследования PhD Др. Hoex, мы показывали что беспрецедентный высокий уровень встроенных отрицательных зарядов в ультратонком слое алюминиевой окиси депозированном плазмой ALD может почти полностью исключить электронное теряет на поверхностях фотоэлемента. Алюминиевая окись недавно приобретала внимание общины photovoltaics как разносторонний и совместимый материал который ожидано, что облегчает несколько выдвижений в конструкцию и технологию фотоэлемента.»

Last Update: 14. January 2012 12:44

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit