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Posted in | Nanoenergy | Nanofabrication

AIXTRON Recebe o Pedido para Ferramentas do MOCVD de China Baseou o Fabricante do DIODO EMISSOR DE LUZ

Published on February 17, 2009 at 4:08 AM

AIXTRON AG anunciaram hoje um pedido triplo para ferramentas do MOCVD de Tonghui Electronics Corp., uma partida nova e fabricante baseado China do Diodo emissor de luz. O pedido é para um reactor Planetário do sistema do Reactor do GH IC do AIX 2800G4, da capitânia de AIXTRON para a fabricação em grande escala do Diodo emissor de luz e de outro dispositivos avançados, e dois sistemas do AIX 2600G3 IC.

A ferramenta do GH IC do AIX 2800G4 configurada para 42x2 da” capacidade bolacha e dois sistemas do G3 com” a configuração 49x2 foi entregada no primeiro respectivamente terceiro quarto de 2008. Todos Os três serão usados para a revelação e a fabricação de Diodo emissor de luz da Microplaqueta da Potência.

Prof. Liu, comentários de Tonghui Electronics Corp.: “AIXTRON foi um fornecedor e um suporte seguros do equipamento e da tecnologia de processamento do MOCVD por sobre uma década. Nós usamos suas ferramentas e baseado nesta boa experiência que nós decidimos colocar com elas nosso primeiro pedido principal para o equipamento do DIODO EMISSOR DE LUZ. Os reactores em grande escala sustentam nossos planos presentes e futuros da produção. Nós pretendemos transformar-se um fornecedor ilustre dos dispositivos optoelectronic do elevado desempenho novo que começam com Diodo emissor de luz da potência e no futuro nós pudemos igualmente adicionar o photovoltaics do concentrador de III-V a nossa escala da produção.
As ferramentas do MOCVD de AIXTRON estão as melhor disponíveis. Para o Diodo emissor de luz da Microplaqueta da Potência é crucial que nós temos a melhor uniformidade. Além nós precisaremos a eficiência magnífica da produção em termos do uptime, da manutenção e da eficiência do precursor. Todas estas exigências serão cumpridas perfeitamente por seus padrões mais altos de AIXTRON pelo equipamento e do apoio local e do serviço.”

Last Update: 14. January 2012 09:17

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