2D Intercapedine Ottica Fotonica - Ricerca Corrente sugli Specchi Saturabili dell'Assorbitore A Semiconduttore (SESAM)

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Studio gli Specchi Saturabili dell'Assorbitore A Semiconduttore (SESAMs) Facendo Uso dei Punti di Quantum e dei Campi di Applicazione per SESAMs

I Procedimenti per la Fabbricazione del Semiconduttore di Lunghezza D'onda Breve e Lunga Specchi Saturabili dell'Assorbitore (SESAMs) Facendo Uso ai dei Materiali Basati a gallio

Specchi Saturabili dell'Assorbitore A Semiconduttore del Bene Immobile (SESAMs) nei Sistemi Laser Per Raggiungere Modo-Chiusura

Studio gli Specchi Saturabili dell'Assorbitore A Semiconduttore (SESAMs) Facendo Uso dei Punti di Quantum e dei Campi di Applicazione per SESAMs

La Nostra pianificazione della ricerca è di studiare e sviluppare gli specchi saturabili dell'assorbitore a semiconduttore (SESAMs), facendo uso delle buche di potenziale o dei punti di quantum (dimensioni del disgaggio di nanometro) per la generazione delle applicazioni ottiche ultra-brevi di impulso. SESAMs è componenti novelle per passivamente la modo-chiusura dei laser a chiave per generare i ultra-brevi impulsi ottici. SESAMs ha molte applicazioni nella fisica, chimica, biologia, medicina, micro-lavorante, comunicazioni ottiche, ecc. Questo lavoro di ricerca comprende la progettazione, il montaggio e la caratterizzazione delle unità e dei materiali relativi.

I Procedimenti per la Fabbricazione del Semiconduttore di Lunghezza D'onda Breve e Lunga Specchi Saturabili dell'Assorbitore (SESAMs) Facendo Uso ai dei Materiali Basati a gallio

Il Nostro fuoco sarà su SESAMs che funziona a circa 400 - 430 nanometro e lunghezza d'onda 1 - 1,55 del µm. Coltiveremo GaN ed i materiali relativi facendo uso del metallo-organico-prodotto-vapore-deposito (MOCVD) per fare (intorno 410 nanometro) SESAMs a onde corte, facendo uso delle buche di potenziale di GaInN. Egualmente studieremo i materiali di GaInAsN e da costruzione la buca di potenziale SESAMs di GaInAsN per la lunghezza d'onda lunga (1 - µm 1,55), facendo uso del metodo expitaxy (MBE) della crescita dei cristalli del fascio molecolare. SESAMs facendo uso dei punti di quantum di GaInAs egualmente sarà ricercato.

Specchi Saturabili dell'Assorbitore A Semiconduttore del Bene Immobile (SESAMs) nei Sistemi Laser Per Raggiungere Modo-Chiusura

Ottimizzeremo gli stati della crescita, studieremo i beni materiali mediante varie tecniche di caratterizzazione, progetteremo le strutture dell'unità e la prova con differenti progettazioni per le strutture. Dopo Che i montaggi dell'unità sono completi, le unità saranno sviluppate nei sistemi laser per raggiungere la modo-chiusura, per produrre il picosecondo ai femto-secondi ultra-brevi impulsi ottici.

Sorgente: NUS Nanoscience ed Iniziativa di Nanotecnologia, Università Nazionale di Singapore (NUS).

Per ulteriori informazioni su questa sorgente visualizzi prego il NUS Nanoscience e l'Iniziativa di Nanotecnologia.

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