Instruments d'Oxford Fonctionnant Attentivement avec Aboutir le Constructeur de LED À Fabriquer la Couche Semi-polaire de GaN pour les Dispositifs Optoélectroniques

Au cours de la dernière décennie, les matériaux d'III-nitrure de Groupe ont été très utilisés pour les lights emitting diode visibles et ultra-violets et les diodes lasers bleues et violettes. La Plupart de ces dispositifs optoélectroniques sont type fabriquées sur (les 0001) les matériaux installés parplans polaire conventionnel de substrat. Les Dispositifs développés sur l'orientation polaire de substrat souffrent la polarisation spontanée et piézoélectrique indésirable ayant pour résultat la bande significative courbant dans la tranche de temps bien. Ceci réduit l'efficience radiative de recombinaison et abaisse la performance de dispositif.

Maintenant l'équipe technique aux Instruments-TDI d'Oxford, aboutis par M. Alexandre Usikov, a accompli le progrès important en résolvant ce problème, et travaille attentivement avec un principal constructeur de LED pour fabriquer cette couche semi-polaire de GaN pour les dispositifs optoélectroniques. Ceci augmenterait l'efficience de recombinaison et la performance radiatives de dispositif.

Afin de diminuer ces effets de polarisation, l'accroissement des dispositifs liés GaN le long des sens semi-polaires et non polaires a été étudié intensément. Utilisant l'épitaxie de phase vapeur d'hydrure (HVPE), l'équipe a élevé la haute qualité, (11,2) GaN installés semi-polaire sur (10,0) saphirs de m-plan avec une couche intermédiaire entre le substrat de saphir et la couche de GaN.

(Les 11,2) couches semi-polaires de GaN ont été développées dans la plage de températures de 930 à 1050°C dans un argon inerte ambiant à la pression atmosphérique. Des Galliums et l'aluminium ont été utilisés en tant que les matériaux et le chlorure d'hydrogène et (HCl) ammoniums métalliques (NH3) comme gaz d'active pour le procédé de HVPE. La croissance épitaxiale de GaN a été exécutée à l'heure environ 60µm/utilisant une couche intermédiaire déposée sur le saphir de m-plan suivi d'une couche non dopée de GaN. La procédure d'accroissement a comme conséquence la haute qualité, couche semi-polaire de GaN avec l'épaisseur jusqu'au µm 30.

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