快速,易用 S/TEM 巨大增加在半导体制造应用的生产率

FEI 公司 (那斯达克:FEIC),基本缩放比例想象和分析系统一位主导的提供者,今天宣布了 Tecnai Osiris (tm) 扫描/传输电子显微镜 (S/TEM) 的版本,提供革命分析速度和性能。 它包括 FEI 的新的 ChemiSTEM 技术,使大视野基本映射的时期降低从几小时到分钟。 Tecnai Osiris 被设计结合此突破分析处理量以例外易用符合大容积行业和多用户研究实验室的要求。

专利待定 ChemiSTEM 技术使 Tecnai Osiris 达到 50 种或更多改进系数在能源分散性 X-射线 (EDX) 基本映射的速度的,通过结合在射线生成的技术提升与在 EDX 信号检测上的制造混乱的变化。 Tecnai Osiris 在被设计的平台被编译最大化生产率和回收投资在大容积分析。

托尼爱德华兹, FEI 的资深副总裁市场部门,补充说, “Tecnai Osiris 处理在基本构成分析安置增长的重要性和映射所有范例我们的研究和行业客户的需要,但是直到现在,找不到 S/TEM 以必需的分析速度和易用支持此需求。 例如,在设备新的材料的范围和扩散的继续的减少在半导体制造中和更多范例外观与未知的构成的在多用户研究所驱动需要对于提供 EDX 逻辑分析方法的易用 S/TEM 以一张基本映射的速度可比较与词根想象”。

爱德华兹补充说, “Tecnai Osiris 通过提供基本映射在市场上在分钟设计填补此当前空白以大域视图而不是几小时和,不用需要对于运算符高度训练在复杂逻辑分析方法。 此易用由新的 SmartCam 遥控界面进一步扩大,使专家提供在多用户或行业设施的远程指导给较没有经验的运算符”。

Tecnai 线路有性能的一个悠久的历史和可靠性作为耕马工具在行业应用。 Tecnai Osiris,一 200 千伏 (kV) S/TEM,保持 Tecnai 传统增加许多技术创新,包括: ChemiSTEM,包括所有权 X-FEG 高亮度电子来源和超X, FEI 的新的 EDX 检测系统根据硅偏差探测器 (SDD)技术; MultiLoader (tm) 减少热量平衡时间的范例处理,在范例在十次之前交换与在定期对数据后的比照改善; 并且改进电子能量损失光谱速度和区分的新的 FS-1 电子 (EELS)能量损失分光仪; 并且其他改进,例如 SmartCam 遥控照相机,长寿命液氮用品和多。

“当革命分析速度、处理量和易用在可靠,多用途 S/TEM 是重要的时, Tecnai Osiris 是理想的解决方法”,状态爱德华兹。

Tecnai Osiris S/TEM 为立即预定是可用的。 对于更多信息,请参观: www.fei.com

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