Posted in | Nanoelectronics | Microscopy

FEI для того чтобы Снабдить Технологию TEM CEA-Leti для того чтобы Характеризовать Материалы Полупроводника 22nm

CEA-Leti сегодня объявил что компании включились в трехгодовалое согласование характеризовать предварительные материалы полупроводника для узла технологии 22nm и за пределами. Европейск-Основанный CEA-Leti, с своими 2 соучастниками на Платформе NanoCharacterization Кампуса MINATEC, CEA-Liten (новые материалы для новых энергий) и CEA-INAC (Институт Nanoscience), приложит их экспертизу в огибании голографии и nanobeam.

FEI обеспечит предварительную технологию огибания nanobeam с своим просвечивающим электронным микроскопом скеннирования Титана (S/TEM), миром самым мощным, имеющим на рынке микроскопом. Компании измерят изменения напряжения в структурах полупроводника.

FEI Titam TEM

«Исследование сфокусирует на 2 важных областях: польза голографии с источником электрона XFEG Титана уникально улучшить чувствительность dopant профилируя, и польза методов огибания nanobeam измерить изменения в напряжении и других кристаллографических параметрах,» сказал Джордж Scholes, недостаток - президент и генеральный директор для номенклатуры товаров S/TEM FEI. «С Титаном, FEI руководитель в этих областях и мы смотрим вперед к быть партнером с CEA-Leti на их уникально платформе для характеризации и nanoscale в продолжать выдвинуть технологию.»

«Мы должны улучшить чувствительность, точность и объём dopant профилируя для того чтобы продолжать поддержать застенчивые размеры прибора. И более лучшее вникание влияний напряжения критическое в развитии приборов IC высокого класса исполнения по мере того как мы продолжаемся нажать технологию к узлу технологии 22nm и за пределами,» заявленный Rudy Kellner, недостаток - президент и генеральный директор Разделения Электроники FEI.

Согласно Laurent Malier, CEO CEA-Leti, «Мы выбрали работать с FEI на этом трехгодовалом научно-исследовательском проекте, не только из-за их мощного, имеющего на рынке микроскопа, но также из-за их специальной экспертизы в применениях огибания nanobeam. Совместно, мы рассчитываем адресовать несколько критических технических барьеров смотря на индустрию полупроводника по мере того как она продолжается нажать размер прибора и габарит и также возможности представления в характеризации материалов используемых в nanoelectronics и более вообще для nanosciences.»

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit