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使用 SOI 基体, EV 组揭幕 450mm 薄酥饼的第一个接合系统

EV 组 (EVG),薄酥饼 MEMS 的,纳米技术和半导体市场接合和石版印刷设备的主导的供应商,今天揭幕从绝缘体上硅薄膜基体制造的 450 mm 直径薄酥饼的半导体行业的第一个接合 (SOI)系统。

在 EVG 的领导的大厦在 SOI 薄酥饼接合,新的系统 - 叫了 EVG850SOI/450 mm - 被创建支持和实现与 450 mm 薄酥饼的行业转移从当前 300 mm 标准。 导致的 SOI 薄酥饼提供者 Soitec 在其格勒诺布尔,法国,总部将安装,测试并且合格第一个 EVG850SOI/450 mm 系统。 发运指定在秋天 2011年。

超过 40 年,穆尔的法律是创新的主要驱动器在半导体行业。 减少的费用的福利每个晶体管、更好的性能和增加的功能启用创新设计的增加的晶体管预算值。 由于集成电路每平方厘米 (费用/cm2) 花费了近似加倍每个十年,然而,这个行业在穆尔的法律时路径经过在薄酥饼范围的一个一致转移每八到 10 年 -,当继续称功能大小 - 为了坚持。 SOI 在班次预计扮演启用的作用到 450 mm,因为它不仅回答大多比例缩放挑战,但是它也提供更好的功率/性能子 22 nm CMOS 和 3D 技术的与类似几何批量项目货签 CMOS 比较。

薄酥饼接合是制造 SOI 薄酥饼的一个关键的技术,因为它启用成绩优质,单一水晶在一块绝缘层的硅影片形成 SOI 基体。 新的 EVG850SOI/450 mm 薄酥饼接合系统在薄酥饼接合技术利用 EVG 的力量创建为生产级的生产的一个充分地自动化的工具 SOI 薄酥饼。 而且,因为芯片制造商将需要一个临时方案优选现有的 300 mm 能力的生产率,当迁移到 450 mm 进行今后几年,这个系统可能担当桥梁工具,允许处理两个薄酥饼范围。

“每个保税的 300 mm SOI 薄酥饼和接近 100% 的所有 SOI 薄酥饼在 EVG 系统被制造。 我们在 1994年提供了我们的第一个 SOI 接合系统,并且我们的全球产品安装信息库继续增长与 SOI 基体的被扩大的采用”,注意 EV 组行政技术主任保罗 Lindner。 “在薄酥饼接合基础上的其中一个最重要的 SOI 制造进程是从 Soitec 的聪明的 CutTM 层调用技术, EV 组有一个长年的合作关系。 Soitec 是第一个 EVG 450 mm SOI 薄酥饼接合系统的理想的接收人,并且他们的阿尔法工具的评估为优选系统模块将是无价的”。

EVG850SOI/450 mm 包括二个处理模块: 清洗和预先处理的清洁模块薄酥饼在薄酥饼接合前和 SOI 前接合模块。 在前接合模块,二个硅片一起加入真空或一个大气房间。 工具装备科技目前进步水平 450 mm 负荷端口和前空缺数目统一的荚 (FOUPs)。 大多微粒和金属离子污秽测试在 300 mm 薄酥饼将执行由于缺乏 450 mm 计量学系统。 在 EVG 的 450 mm 兵工厂的第一个工具,新的 bonder 起关键起点作用对于 450 mm SOI 薄酥饼的生产,并且可以为其他 EV 组 450 mm 产品的发展使用,例如屏蔽直线对准器和涂层系统。 系统的扩展名与另外的模块的计划,一个进一步步骤增加薄酥饼处理量。

注释的业务执行责任者 Soitec 的保罗 Boudre, “Soitec 是愿意确定在这个 450 mm 转移。 此新的系统生成, EV 组提供半导体行业一个高度可行的解决方法缓和与 450 mm 薄酥饼的转移。 当我们源远流长的 SOI 材料扮演越来越更加巨大的作用在制造的下一代集成电路,我们盼望与 EVG 一起使用保证此新的系统准备及时地输入主流生产”。

在 SEMICON 西方本周期间在旧金山, EV 组将有从 SOI 其小组和薄酥饼接合专家的代表可用在摊 #1131 告诉与对了解更多和客户感兴趣的新闻、分析员对新的 EVG850SOI/450 mm 系统和其功能跨接和启用的 300 mm 与 450 mm 薄酥饼转移。 另外, EVG 的保罗 Lindner 将是 MCA 的 BrightSpots 论坛的一部分关于今晚将被暂挂的 450 mm 的在 6:00 P.m. (PST)--那里他在进行中某些当前将涉及的工作成绩,共同和单个,提高 300 mm 制造效率以及启用与 450 mm 薄酥饼的行业的转移。 此活动是开放的对媒体并且是可访问在线,提供参与者一个唯一机会了解更加极大的到挑战和机会与 450 mm 相关,并且提出问题直接地某些首要专长领域。

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