第 2 光子的光共振腔 - 当前研究到半导体可饱和的吸收体镜子 (SESAM) 里

包括的事宜

学习半导体可饱和的吸收体镜子 (SESAMs) 使用 Quantum 小点和 SESAMs 的应用程序方面

做的短和长波长半导体进程可饱和的吸收体镜子 (SESAMs) 使用基于镓的材料

大厦半导体可饱和的吸收体镜子 (SESAMs) 到达到模式锁定的激光系统里

学习半导体可饱和的吸收体镜子 (SESAMs) 使用 Quantum 小点和 SESAMs 的应用程序方面

做的短和长波长半导体进程可饱和的吸收体镜子 (SESAMs) 使用基于镓的材料

我们的重点在运行在 400 前后的 SESAMs - 430 毫微米和 1 - 1.55 µm 波长范围。 我们将生长 GaN 和相关材料使用金属有机化学制品蒸气证言 (MOCVD)做短波 (大约 410 毫微米) 使用 GaInN 数量井, SESAMs。 我们也将学习 GaInAsN 材料并且制造 GaInAsN 长波长的数量井 SESAMs (1 - 1.55 µm) 使用分子束 expitaxy (MBE) 晶体成长方法。 使用 GaInAs 数量小点的 SESAMs 也将被研究。

大厦半导体可饱和的吸收体镜子 (SESAMs) 到达到模式锁定的激光系统里

我们将优选增长条件,用多种描述特性技术学习有形资产,设计设备结构和测试用不同的设计结构的。 在设备制造是完全的后,设备将被建立到激光系统达到模式锁定,导致微微秒对飞秒超短波的光学脉冲。

来源: NUS Nanoscience 和纳米技术主动性,国家大学新加坡

关于此来源的更多信息请参观 NUS Nanoscience 和纳米技术主动性

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:13

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